根据集成电路的温度变化实施的操作控制

摘要

本发明涉及模拟SRAM之类的半导体存储装置，实现与SRAM同等的低消耗电流。本发明的半导体存储装置包括与存储单元在同一半导体衬底上形成的pn接合区域中，包括设定在截止状态的特定的pn接合区域，具有在所述特定的pn接合区域输出漏电流的温度检测元件，以及根据由温度检测元件输出的漏电流，检测半导体存储装置温度变化的温度检测单元；和按照温度检测单元的检测结果，控制更新同步信号产生周期的温度特性控制单元。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于所述装置包括：具有动态存储单元的存储单元阵列；具有用于决定所述存储单元阵列实施更新同步操作并产生更新同步信号的同步定时器，且至少根据所述更新同步信号，在所述存储单元阵列中实施更新操作的更新控制单元；与所述存储单元在同一半导体衬底上形成的pn接合区域中，包括设定在截止状态的特定的pn接合区域，具有在特定的pn接合区域输出漏电流的温度检测元件，并根据由温度检测元件输出的漏电流，检测半导体存储装置温度变化的温度检测单元；以及根据温度检测单元的检测结果，控制所述更新同步信号产生周期的温度特性控制单元。