发明名称 |
硅薄膜结晶方法、用该方法的薄膜晶体管及其平板显示器 |
摘要 |
一种结晶方法,包括在一绝缘衬底上形成吸收外部光的黑色基质层,其中该黑色基质层的上部区域包括用于硅结晶的催化剂,构图该黑色基质层,在绝缘衬底和黑色基质层上形成一非晶硅薄膜,对非晶硅薄膜进行热处理以用于结晶。由于形成一连续的金属诱导结晶区域和一金属诱导横向结晶区域而其中没有一明确的界限,因此,使用该结晶方法形成的薄膜晶体管的特性得到改进。 |
申请公布号 |
CN1494107A |
申请公布日期 |
2004.05.05 |
申请号 |
CN03158097.1 |
申请日期 |
2003.08.01 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
具在本;朴志容;朴商一 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;H01L29/786;G02F1/136;G09F9/30 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种非晶硅薄膜的结晶方法,该方法包括:在衬底上形成一黑色基质层以吸收外部光,该黑色基质层的上部区域具有用于结晶的催化剂;构图该黑色基质层;在衬底和黑色基质层上形成非晶硅薄膜;和为结晶对非晶硅薄膜进行热处理。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |