| 发明名称 | 铁电电容器、铁电/CMOS集成结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种铁电电容器、铁电/CMOS集成结构及其制造方法。该铁电电容器包括：铁电层；与铁电层的两个相反面接触的导电电极层和导电反电极层，这些电极层在沉积或退火时不分解；以及至少与导电反电极层接触的氧源层，该氧源层是在沉积和/或随后处理中至少部分分解的金属氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1148805C | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN00108782.7 | 申请日期 | 2000.06.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 查尔斯·托马斯·布莱克;西里尔·卡布拉·JR.;阿尔弗雷德·格利尔;德博拉·安·纽梅尔;威尔伯·大卫·普莱瑟;卡舍莱恩·莱恩·萨恩格尔;托马斯·姆卡罗尔·邵 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种铁电电容器，包括：导电电极层、位于所述导电电极层上的铁电层、在所述铁电层上形成的导电反电极层，以及与上述导电反电极层邻近的至少部分分解的氧源层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||