| 发明名称 | 氮化镓单晶衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓单晶衬底及其制造方法。该衬底用HVPE法或MOC法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>～1×10<SUP>20</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的氧，且不具有其他材料的衬底部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1148810C | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN99106909.9 | 申请日期 | 1999.05.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 元木健作;冈久拓司;松本直树;松岛政人 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓单晶衬底，其特征在于：该衬底用氢化物气相生长法或有机金属氯化物气相生长法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×1016cm-3～1×1020cm-3的氧，氧的激活率为100％，且不具有其他材料的衬底部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||