| 发明名称 | 腐蚀半导体晶片的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种使用物理腐蚀和化学腐蚀工艺两步骤的腐蚀半导体晶片(40)以便产生高密度DRAM和FRAM要求的垂直侧壁(20)的方法和装置(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN1148789C | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN97197232.X | 申请日期 | 1997.01.23 |
| 申请人 | 泰格尔公司 | 发明人 | 斯蒂芬·P·德奥尼拉斯;艾尔弗德·科弗;帕里托什·雷乔拉 |
| 分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种腐蚀晶片的方法，包括步骤：物理地腐蚀然后化学地腐蚀该晶片上的膜，以便得到带有垂直的侧壁外形的晶片结构，其中，物理腐蚀的步骤中的压力高于化学腐蚀步骤中的压力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||