| 发明名称 | 使用臭氧的化学－机械平面化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在化学机械平面化中，作为反应物的臭氧(O<SUB>3</SUB>)的用途，其以水溶液或气体形式直接作用于待平面化的表面。含臭氧的水溶液选择性地含有研磨颗粒和/或与臭氧共溶的其它CMP试剂，包括碳酸盐和碳酸氢盐阴离子，以及有机酸，例如甲酸、草酸、乙酸和乙二醇酸。可以加入的研磨剂包括氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、尖晶石和氧化锆。水溶液中的常规臭氧浓度在约每百万分之1份(“ppm”)－饱和的范围内。铵盐，特别是碳酸铵与含臭氧水溶液结合使用有助于平面化。根据本发明，使用臭氧反应物可以将有机和无机低k介电材料，以及难以氧化的金属平面化。 | ||
| 申请公布号 | CN1494735A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN02805701.5 | 申请日期 | 2002.02.08 |
| 申请人 | EKC科技公司 | 发明人 | R·J·斯莫尔;尚小蔚 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3105;H01L21/461;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 任宗华 |
| 主权项 | 1.一种用于化学机械平面化的组合物，包括臭氧水溶液和研磨剂颗粒。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||