| 发明名称 | 微转移图案化加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微转移图案化加工方法。加工过程是1)在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章表面蒸镀一层金属；2).在平面基底上旋涂热塑性高分子溶液；3).依次测定高分子材料的玻璃化转变温度，将表面具有金属薄膜的聚二甲基硅氧烷软印章和热塑性高分子薄膜表面吻合，将整个体系加热到所选高分子材料的玻璃化转变温度后，再升高温度10～80℃，并保持5～10分钟，然后，在整个体系降低温度到所选高分子玻璃化温度后，再降低温度20～50℃，将聚二甲基硅氧烷软印章剥离，得到表面具有金属薄膜图形的高分子薄膜。加工工艺简单，成本低廉，更适合于有机薄膜晶体管的加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1493464A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN03138306.8 | 申请日期 | 2003.05.23 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 韩艳春;王哲;邢汝博 |
| 分类号 | B41M5/00 | 主分类号 | B41M5/00 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种微转移图案化加工方法，其特征在于1).在具有图形的聚二甲基硅氧烷软印章表面蒸镀一层金属；2).在平面基底上旋涂热塑性高分子溶液；3).依次测定高分子材料的玻璃化转变温度，将表面具有金属薄膜的聚二甲基硅氧烷软印章和热塑性高分子薄膜表面吻合，将整个体系加热到所选高分子材料的玻璃化转变温度后，再升高温度10～80℃，并保持5～10分钟，然后，在整个体系降低温度到所选高分子玻璃化温度后，再降低温度20～50℃，将聚二甲基硅氧烷软印章剥离，得到表面具有金属薄膜图形的高分子薄膜。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市人民大街5625号 | ||