抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法

摘要

抛光目标晶片11通过抛光头12保持，并与抛光头12一起旋转。通过使用粘结剂或双面胶带等粘结的方法将抛光体14固定至抛光元件13。如图2(b)所示，抛光体14通过层叠软元件15、硬弹性元件16和抛光垫17构成。硬弹性元件16的构造使其在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的TTV。因此，可以同时满足“晶片整体去除一致性”和“局部图案平面度”的要求。

主权项

1.一种用于CMP抛光设备的抛光体，用于抛光内部形成半导体集成电路的晶片，其中抛光垫、硬弹性元件和软元件以这种顺序层叠，上述硬弹性元件的构造使此元件在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的TTV。