发明名称 |
Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法 |
摘要 |
一种II-VI族或III-V族系单结晶铁磁性化合物,在从由ZnTe、ZnSe、ZnS、CdTe、CdSe或CdS组成的群体中选出的II-VI族系化合物或从由GaAs、InAs、InP或GaP组成的群体中选出的III-V族系化合物中,是以从由V、Cr组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素,而在从由GaN、AlN、InN或BN组成的群体中选出的III-V族系化合物中,是以从由V、Cr或Mn组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素,取代II族或III族元素并形成混晶。添加其它的过渡金属元素或n型掺杂剂、p型掺杂剂,调整铁磁性特性或/和铁磁性转移温度。本发明提供采用透过光的II-VI族或III-V族系化合物而得到的铁磁性的单结晶化合物。还提供调整该化合物的铁磁性转移温度等铁磁性特性的方法。 |
申请公布号 |
CN1494607A |
申请公布日期 |
2004.05.05 |
申请号 |
CN02805828.3 |
申请日期 |
2002.02.28 |
申请人 |
科学技术振业事业团 |
发明人 |
吉田博;佐藤和则 |
分类号 |
C30B29/48;C30B29/40 |
主分类号 |
C30B29/48 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
1.一种II-VI族或III-V族系单结晶铁磁性化合物,其特征在于,在选自由ZnTe、ZnSe、ZnS、CdTe、CdSe或CdS组成的群体中的II-VI族系化合物或选自由GsAs、InAs、InP或GaP组成的群体中的III-V族系化合物中,以从由V或Cr组成的群体中选出的至少一种过渡金属元素取代II族或III族元素并形成混晶而成。 |
地址 |
日本埼玉县 |