异物除去法及膜形成方法

摘要

将硅衬底11置入容器17内。向容器17内供入金属有机络合物和超临界状态的二氧化碳，在白金薄膜13上形成BST薄膜14，与此同时，除去形成BST薄膜14时所生成的含碳化合物。利用含碳化合物在超临界状态的二氧化碳中的熔解度很高，超临界状态的二氧化碳的粘度很低这一特性，可有效地除去BST薄膜14中的含碳化合物。利用超临界状态或亚临界状态的水等进行低温下的氧化、氮化等处理，还可以形成氧化膜、氮化膜等。

主权项

1.一种异物除去法，用以除去被处理物内部的异物，该异物除去法将用来熔解上述异物的流体保持在超临界状态或者亚临界状态下，让上述被处理物去接触上述流体，而将异物除去，其特征在于：上述被处理物，由含有金属有机物或金属有机络合物的原料起反应而生成的第1物质构成；上述异物，由含有金属有机物或金属有机络合物的原料起反应而生成的含碳化合物，即第2物质构成，上述被处理物是在让含有金属有机物或金属有机络合物的原料熔解于它的熔剂的状态下而形成的膜；上述原料的熔剂，为属于烃或者卤代烃的化合物且至少为其中之一种；上述原料为含有DPM(二新戊笋甲烷)基的化合物。