具有垂直写入线之磁性随机存取记忆体

摘要

一个磁性随机存取记忆体(MRAM)装置(10)系由具有一个固定磁性层(28)、一个活动磁性层(32)与介于其间之第一介电层(30)的凹槽所形成。一个金属填充物(36)与一个选择性之第二介电层(34)亦形成于该凹槽内。该金属填充物(36)做为一写入路径。在MRAM单元中的字元线为电晶体的闸电极用来写入与读取该MRAM装置。为写入该装置，电流运行于实质上垂直方向因而仅影响一个MRAM单元而不影响到邻近的单元。资料的储存因而改善。