发明名称 具波形管线结构之扩展操作频率同步半导体记忆体装置及其波形管线控制方法
摘要 本发明提供一种与一操作时脉同步操作之同步半导体记忆体装置及操作一半导体记忆体装置之方法。该同步半导体记忆体装置具有一等待时间N(其中N系为整数)并且包括一记忆体单元阵列、一具有N个储存单元之堆叠单元以及一频率侦测器,该频率侦测器被组态以决定该操作时脉之一频率与参考至一预定频率之关系,以根据该操作时脉之该频率与该预定频率的关系来提供一输出讯号。一控制电路被组态以控制该堆叠单元来响应该频率侦测器之输出讯号。该控制电路锁存从该记忆体单元阵列所读取的资料,并且控制该堆叠单元,使得假如该操作时脉之该频率大于该预定频率时,则会从传送一读取命令时之一时脉周期直到该读取命令被传送后之第N时脉周期期间储存该锁存资料,并且延迟该栓锁资料达一时脉周期,以及控制该堆叠单元,使得从传送该读取命令后之一时脉周期直到该读取命令被传送后之第N+1时脉周期期间储存该锁存资料。
申请公布号 TW200406787 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW091132154 申请日期 2002.10.30
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郑大铉
分类号 G11C8/00 主分类号 G11C8/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国