发明名称 用于晶片上即时可靠度测试之测试结构
摘要 本发明系揭露一种具有三晶片上监测测试结构之系统,若任何三测试结构指示出一使用期终点故障时,则一位元将会被设定指示出IC接近故障及应该更换,此在实际元件故障之前完成,且将会排除使用此IC的系统停工期。第一测试结构监测热载体注入降低,且包括有两环振荡器,一个振荡器受到热载体效应影响(降低的环振荡器),且另一个振荡器不会受到热载体效应影响(非降低的环振荡器)。首先,两环振荡器每个将具有固定的频率,但是随着元件老化,热载体效应会使降低的环振荡器降低,使用非降低的环振荡器,会使下降定量且旗标一故障。第二测试结构监测TDDB降低。复数个N平行连接的电容器具有一应力电压施加于其上,如此以致于第一电容器故障的时间与在正常使用下以闸极的0.1百分位表示的故障时间相同,电容器的损坏系由结构电阻中的下降所监测到,且使用于触发一位元,以指示出使用期讯号TDDB终点。第三测试结构监测电迁移降低,M最小宽度金属线系平行的连接,一电流系施加于其上,如此以致于所有金属线故障的时间与在正常使用下以最小宽度金属线以0.1百分位表示的故障相同,一金属线的损坏系由增加结构电阻而监测到,且使用于触发一位元,以指示出使用期讯号电迁移终点。0.1百分位系作为一实施例,且可依使用者定义的元件使用期而变化。
申请公布号 TW200406590 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092125143 申请日期 2003.09.12
申请人 特许半导体制造公司 发明人 印德拉吉特玛纳;罗铿夫;郭强;徐增
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 新加坡
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