半导体结构

摘要

本发明揭示一种具有一对铟掺杂并由硼包围之分区之通道区的半导体结构。一对电晶体结构位于该等通道区上，由一隔离区分隔。该等电晶体的闸极较其下之分区宽。本发明还揭示一种具有沿闸极侧壁分布之绝缘隔离层的电晶体结构的半导体结构。各电晶体结构系位于该等隔离层下延伸之一对源极／汲极区域之间。仅在各该电晶体结构之一侧，一源极／汲极延伸部分使该源极／汲极区域在该等电晶体结构之下延伸得更远。本发明还揭示形成半导体结构的方法。