发明名称 快闪记忆体装置的制造方法
摘要 一种分离式闸极的快闪记忆体元件的制造方法,包括在基底内形成沟渠元件隔离层,以定义复数个平行的第一主动区;接着依序堆叠形成一层闸极绝缘图案、一层导电图案以及一层应罩幕图案,让侧壁对准沟渠元件隔离层的侧壁;依照每一个第一主动区,将硬罩幕移动一段规则的间隔,以暴露出导电图案的顶部;在暴露出来的导电图案上形成一层氧化物图案,然后移除硬罩幕图案;使用氧化物图案作为一蚀刻罩幕,蚀刻导电图案以形成浮置闸极图案排列在调整的间隔之每一第一主动区上;在浮置闸图案的侧壁上形成隧穿氧化层;形成复数个控制闸电极以横跨过第一主动区,在浮置闸图案上放置控制闸电极。
申请公布号 TW200406885 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092125694 申请日期 2003.09.18
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 尹重林;俞在玟;文昌碌
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国