发明名称 用以经由电晶体读取来自光二极体之信号的半导体装置
摘要 图素系成一矩阵形被布置在一半导体基体上面。每一图素系包括一光二极体、一重置电晶体、一源极随耦电晶体、和一选择电晶体。一其中布置有光二极体和电晶体之作用区,系包括一其中布置有光二极体之第一区域和一具有一延伸于一第一方向中之第二区域。该等重置电晶体、源极随耦电晶体、和选择电晶体之每一闸极,系使横越过其第二区域延伸于上述第一方向中之区域。有一内图素(intra–pixel)接线,可使其重置电晶体之汲极区域与其源极随耦电晶体之闸极相互连接。
申请公布号 TW200406914 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092122916 申请日期 2003.08.20
申请人 富士通股份有限公司 发明人 大川成实
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本