发明名称 使用矽化物制程制造影像感知器之方法
摘要 本发明系提供影像感知器的制造方法,其可防止矽化物层被形成于光二极体上,同时选择性地形成矽化物层在位于接近光二极体的电晶体闸极电极上。本发明包括之步骤:形成一闸极电极于基板上;形成一绝缘间隔于闸极电极之横向侧;形成一光二极体于基板中露出闸极电极之一端;形成一浮动扩散区域于基板中露出闸极电极之另一端;形成一矽化物阻障层于光二极体上,其中该矽化物阻障层露出闸极电极之顶部表面和顶部边角;及形成一矽化物层于露出闸极电极之顶部表面和顶部边角。
申请公布号 TW200406911 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW091136871 申请日期 2002.12.20
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 林富泽
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 韩国