发明名称 微电子方法及结构
摘要 本发明系关于一种半导体装置中合并空气做为介电质之方法,包括步骤:a.施加将被形成图案之一介电质层(2)于一基板(1)上;b.对该已经施加之介电质层(2)形成图案;c.施加该已被形成图案之介电质层(2)用之一导体金属(3)并从该导体金属(3)及该介电质层(2)形成一共同表面;d.施加一有机介电质层(4)至步骤(c)中所产生之层;以及e.将以此方式产生之涂布的基板与一含氟的化合物接触,以便形成具有位于导体结构之间做为介电质的空气并具有位于上侧之一连续介电层(4)之一排列,以及关于一种具有使用此方法产生之做为介电质之空气层之半导体装置。
申请公布号 TW200406873 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092121309 申请日期 2003.08.04
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 雷凯 萨齐
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国