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发明名称
半导体晶圆保护单元及半导体晶圆处理方法
摘要
本发明提供,研削半导体晶圆(2)背面使其厚度显着变薄时,仍能够按照所需要处理半导体晶圆,而不会使其破损的半导体保护单元(10),并提供使用这种半导体保护单元的半导体晶圆处理方法。半导体保护单元是由:其一面具黏接性的磁带(12)、及至少在领域(20)形成有多数细孔(24)的磁性基板(14),所构成。
申请公布号
TW200406864
申请公布日期
2004.05.01
申请号
TW092105238
申请日期
2003.03.11
申请人
迪思科股份有限公司
发明人
北村政彦;南条雅俊;矢兴一;波冈伸一
分类号
H01L21/68
主分类号
H01L21/68
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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