发明名称 半导体晶圆保护单元及半导体晶圆处理方法
摘要 本发明提供,研削半导体晶圆(2)背面使其厚度显着变薄时,仍能够按照所需要处理半导体晶圆,而不会使其破损的半导体保护单元(10),并提供使用这种半导体保护单元的半导体晶圆处理方法。半导体保护单元是由:其一面具黏接性的磁带(12)、及至少在领域(20)形成有多数细孔(24)的磁性基板(14),所构成。
申请公布号 TW200406864 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092105238 申请日期 2003.03.11
申请人 迪思科股份有限公司 发明人 北村政彦;南条雅俊;矢兴一;波冈伸一
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本