发明名称 | 半导体制程参数之无侵入测量及分析的方法及装置 | ||
摘要 | 本发明揭露出一种感应与分析等离子体制程参数的RF感应器。RF感应器设有一等离子体制程工具以及一天线,以用来接收从等离子体制程工具射出的RF能。该天线系邻近该等离子体制程工具而放置,以致于无侵入性。此外,可将RF感应器架构用于从等离子体制程工具所射出之RF能之多谐波的宽频接收。再者,RF感应器可能耦合到一高通滤波器与一处理器,以用来处理收到的RF能。此外,该天线可放置于具有吸收器的罩壳内,以减少RF感应器所受到的干扰。此外,工具控制可根据收到RF能所提供的讯息而耦合到该处理器,以提供来调整并维持许多的等离子体制程参数。 | ||
申请公布号 | TW200406860 | 申请公布日期 | 2004.05.01 |
申请号 | TW092117702 | 申请日期 | 2003.06.27 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 理查 帕森斯 |
分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |