使用介电储存元件的多态非挥发积体电路记忆体系统

摘要

非挥发性记忆胞储存与介电质材料诸存元件中所储存之资料相当之电荷位准，此包夹于一控制闸极及半导体基体表面之间，在记忆胞之通道区上。由介电质材料之公共区中所储存之二个以上电荷位准之一提供二个以上之记忆状态。每一记忆胞中可包含一个以上之此公共区。在一形态，一记忆胞中之二此区与源及汲扩散区相邻设置，此亦包含一选择电晶体置于其间。在另一构形，各串记忆包之“反及”阵列储存电荷于介电质层之区域中，包夹于字元线及半导体基体之间。