| 摘要 |
一种形成半导体薄膜之方法在雷射退火过程中构成一个对准记号。第1雷射光束被照射到半导体薄膜以形成第1被照射区域。与第1雷射光束为同轴的第2雷射光束被照射到薄膜上而不与第1被照射区域重叠，因而形成第2被照射区域及一个非照射区域。一个对准记号系使用第1被照射区域与第2被照射区域之间、或第2被照射区域与非照射区域之间的光学常数差而形成。第2雷射光束被照射到薄膜上而与第1被照射区域重叠，而对准信号系使用第1被照射区域与第2被照射区域之间或第2被照射区域与剩余非照射区域之间的光学常数差而形成。第2雷射光束被照射到薄膜上而与第1被照射区域重叠，而对准信号系使用第1被照射区域与第2被照射区域之间或第2被照射区域与剩余非照射区域之间的光学常数差而形成。最好，薄膜系由非晶矽或多晶矽制成。 |
