| 摘要 |
本发明系在具有具备闸极绝缘膜之场效电晶体的半导体装置及其制造方法方面，提供一种电晶体可更细微化的半导体装置及其制造方法。在包含复数个元件区域及使元件区域间电气分离之STI(shallowtrenchisolation；浅沟槽隔离)元件分离区域的半导体装置方面，元件区域分别具有：通道区域；源极、汲极区域，其在水平方向隔着通道区域所形成；闸极绝缘膜，其系形成于通道区域上，且在与源极、汲极区域隔着通道区域的方向大致垂直的水平方向，由元件分离区域侧形成于与和通道区域相对之面相反侧之面之鸟嘴为角度1度以下；及闸极层，其系形成于闸极绝缘膜上。 |
