| 摘要 |
本发明提供一种薄膜横向覆矽绝缘层(SOI)装置，包括一基板及一埋藏式氧化层(4)(BOx)于作为基板上之介电层；一矽层(6)位于埋藏式氧化层上，矽层包括一第一厚度矽区(8)、一第二厚度矽区(10)(厚度小于第一厚度矽区(8))，及一第三厚度矽区(12)(厚度小于第二厚度矽区(10))；一介电层(TOx)位于矽层(6)之上，其包括一闸极介电层(18)位于第一厚度矽区(8)之上，一场介电层(20)位于第二厚度矽区(10)之上，其中场介电层(20)厚度大于闸极介电层(18)厚度，及一漂移介电层(22)位于第三厚度矽区(12)之上，漂移介电层(22)厚度大于场介电层(20)厚度；一闸极(42)位于一通道区(38)上方之闸极介电层(18)之上；一场板(44)横跨场介电层(20)而延伸；一汲极(30)于横向与矽层(6)之第三厚度矽区(12)相隔；及一源极(32)于横向与闸极分开。 |
