| 摘要 |
本发明提供一种薄膜横向覆矽绝缘层(SOI)电源装置，包括一基板及一埋藏式氧化层(4)在基板上；一矽层(6)位于埋藏式氧化层上，该矽层具有一横向延伸之漂移区；一介电层位于矽层(6)上，该介电层具有一闸极介电层(18)、一场介电层(20)及一漂移介电层(22)，该漂移介电层厚度大于场介电层(20)之厚度，并于场介电层与漂移介电层间具有一介电层过渡区域(24)；一闸极(26)位于第一矽层厚度区域(10)中之通道区(27)以上，并从通道区(27)至少横跨场介电层(20)而延伸为一场板(28，36，44)；一汲极(30)与矽层(6)之第三厚度区域(12)于横向相隔；及一源极(32)与闸极于横向分开；其中于漂移区中于矽层(6)中从通道区(27)朝汲极(30)延伸，掺杂剂量(每单元面积之杂质)系按比例，以便浓度(每单位体积之杂质)稳定增加，不考虑矽层(6)及／或介电层(18，20，22)及／或场板(28)中之厚度过渡，而产生一定纵向电场。制造上述薄膜横向SOI电源装置之方法，包括在矽层之漂移区中按比例施予掺杂剂量，以便纵向掺杂密度之稳定增加，不考虑矽层及／或上氧化层及／或场板中之厚度过渡，而在矽层之漂移区中形成一定电场。在矽层之漂移区中注入掺杂剂系在形成上氧化层之后施行。 |
