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发明名称
积体化微流体系统的单一晶圆制造
摘要
通常使用一多晶圆制造程序来完成微流体系统的形成。本发明教导如何在一单一晶圆上完成一完整的微流体系统。本发明只使用乾蚀刻制程来形成微室。更特别的是,它运用深反应离子蚀刻,藉此同时形成多个不同深度的沟渠。藉由使用一不侵蚀掩膜的蚀刻剂来等向地增加沟渠宽度藉此形成埋藏的微室,所以沟渠在表面下渐渐变宽直到它们结合为止。在沟渠上沉积一介电层让某些沟渠被密封以及某些沟渠被打开。藉由在微室顶内包含一层来形成微帮浦,该层被使用来透过静电感应移动或是透过由于它被加热所生的热能不匹配而改变室体积。
申请公布号
TW200406357
申请公布日期
2004.05.01
申请号
TW092113338
申请日期
2003.05.16
申请人
科技研究局;国立大学
发明人
广柏 宿;育 陈;杰纳克 赛恩;堤曼 林;泰 严;邱 凯特 韩
分类号
B81C1/00
主分类号
B81C1/00
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
新加坡
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