氮化物发光二极体制造方法

摘要

一种氮化物发光二极体之结构及其制造方法。首先，提供一成长基板；然后，形成一氮化镓系半导体磊晶层于基板上，此氮化镓系半导体磊晶层依序堆叠有一N型氮化镓系局限层、一发光层及一P型氮化镓系接触层，形成一数位穿透层于P型氮化镓系局限层上。接着，再以乾蚀刻法依序蚀刻数位穿透层、P型氮化镓系接触层并终止于发光层，以在发光层形成N–金属形成区。接下来，分别形成一第一欧姆接触电极于数位穿透层上用以做为P型姆接触，及一第二欧姆接触电极于发光层上，用以做为N型欧姆接触。最后，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一黏接垫。