藉热化学蒸气沉积制造氮化矽膜和氧氮化矽膜之方法

摘要

提供藉热化学蒸气沉积(热CVD)制造高品质氮化矽膜和氧氮化矽膜的方法，其中该方法不会伴随生成氯化铵并可避免含碳污染物掺入薄膜中。藉供应三甲矽烷胺与氨于容纳有基板(112)的CVD反应室(11)中而于基板(112)上形成氮化矽膜。在此制程期间，氨气／三甲矽烷胺气体流速比系设定在至少10的数值且／或热CVD反应系在低于600℃的温度作业。亦藉由输入氧源气体至CVD反应室(11)中而获得氧氮化矽。