半导体记忆体

摘要

在安排电荷陷入的记忆体胞元时，使用埋入式、长条状的源极线(13)以提供源极区域间的连结。字线(6)连同闸极电极形成于与源极线平行之上方。形成于一线路平面上方并与字线方向横切的汲极接触长条(10)连接汲极区域(4)，并且彼此电导接。根据标准的CMOS逻辑技术，关于字线，源极区域和汲极区域皆以自对准方式形成。