发明名称 |
具藉利用磷化氢及含金属磷化氢之钯接触之有机场效应电晶体接触阻力之降低 |
摘要 |
本发明系关于一种半导体装置,其具有一半导体路径,其包含一有机半导体材质,一第一接触用于将电荷载体注入该半导体路径中,以及一第二接触用于自该半导体路径取出电荷载体,其中磷化氢层系配置于该第一接触与该半导体路径之间及/或于该第二接触与该半导体路径之间。该磷化氢系作为电荷转移分子,其使得该接触与有机半导体材质间的电荷载体之转移更为容易。因此,该接触与有机半导体材质间的接触电阻可被降低。 |
申请公布号 |
TW200406940 |
申请公布日期 |
2004.05.01 |
申请号 |
TW092118643 |
申请日期 |
2003.07.08 |
申请人 |
亿恒科技股份公司 |
发明人 |
哈根 克劳克;冈特 施密特;乌特尔 茨许尔相;马尔库斯 哈里克;艾弗史特拉提欧司 特尔措格鲁 |
分类号 |
H01L51/20 |
主分类号 |
H01L51/20 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
主权项 |
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地址 |
德国 |