| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,其特征在于:此半导体元件具有萧特基障壁电极,使其接触于含矽的半导体基板的一面,与上述半导体基板的一面之间形成萧特基障壁,且包含以下诸制程:将具有开口的矽绝缘膜形成于上述半导体基板的一面上之制程;在上述绝缘膜上,依序形成含第1金属的第1金属层以及含第2金属的第2金属层之制程;使包含于上述第2金属层的上述第2金属,透过上述第1金属层热扩散至上述半导体基板的表面区域并透过上述开口接于上述第1金属层而形成且包含上述第2金属的矽化物之第3金属层之热扩散制程;以及在热扩散后的上述半导体基板的一面上,形成连接外部电极之含第3金属的第4金属层。2.如申请专利范围第1项之半导体元件之制造方法,其中,上述热扩散制程中,系在形成上述第3金属层的同时,使包含于上述半导体基板的矽朝上述第1金属层扩散。3.一种半导体元件,其特征在于:具有萧特基障壁电极,使其接触于含矽的半导体基板的一面,与上述半导体基板的一面之间形成萧特基障壁,且包含:矽绝缘膜,系形成于上述半导体基板上,具有开口;第1金属层,形成于上述半导体基板的表面区域,含第1金属的矽化物;第2金属层以透过上述开口与上述第1金属层相接之方式形成于上述绝缘膜上,含第2金属;以及第3金属层,形成于上述第2金属层上,含第3金属,且连接外部电极;上述第1金属的矽化物,系使得透过上述第2金属层热扩散之上述第1金属,与包含于上述半导体基板的矽反应而形成者。4.如申请专利范围第3项之半导体元件,其中,上述第2金属层,含有自上述半导体基板热扩散来的矽与上述第2金属发生反应所形成的第2金属之矽化物。5.如申请专利范围第3项或第4项之半导体元件,其中,上述第2金属包含钛。6.如申请专利范围第5项之半导体元件,其中,上述第1金属包含钯。图式简单说明:图1系本发明之实施形态的半导体元件之截面结构。图2(a)-(d)系图1所示的半导体元件之制程。图3(e)、(f)系图1所示的半导体元件之制程。图4系习知的萧特基障壁电极之构成图。 |
