| 主权项 |
1.一种显示装置,将复数个画素配置成矩阵状,包括:发光元件,设于个画素内;驱动用薄膜电晶体,设于每个画素之同时供给电流给上述发光元件而使发光;以及控制用薄膜电晶体,控制上述驱动用薄膜电晶体;其特征为:上述驱动用薄膜电晶体及控制用薄膜电晶体之半导体层以非晶体矽形成。2.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中发光元件形成纵长形,上述驱动用薄膜电晶体形成横长形,其长度方向配置成与上述发光元件之长度方向成直交。3.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中发光元件形成纵长形,上述驱动用薄膜电晶体形成横长形,连接于上述控制用薄膜电晶体的闸极讯号线及源极讯号线配置成矩阵型,将上述发光元件在其长度方向配置成与上述源极讯号线平行,将上述驱动用薄膜电晶体在其长度方向配置成与上述闸极讯号线平行。4.如申请专利范围第3项所述之显示装置,其中上述驱动用薄膜电晶体将通道区域形成细长形,该通道区域之长度方向平行于上述闸极讯号线配置。5.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中上述驱动用薄膜电晶体中,源极电极与汲极电极中之一电极形成直线形,另一电极形成包围该一电极之形状。6.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中上述驱动用薄膜电晶体具有U字形之源极电极,以及配置于上述U字形之二分叉之间的的汲极电极。7.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中在每一行上包括共通地连接至设于矩阵行方向之各画素内上述控制用薄膜电晶体之闸极电极的闸极讯号线,经由上述驱动用薄膜电晶体供给电流给上述发光元件的电力供给线,而在每一列上包括共通地连接至设于矩阵列方向之各画素内上述控制用薄膜电晶体之源极电极之同时与上述闸极讯号线交叉的源极讯号线,在上述闸极讯号线与上述源极讯号线所包围的区域内,平面上所见沿源极讯号线依发光元件、驱动用薄膜电晶体、电力供给线、控制用薄膜电晶体的顺序配置。8.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中在上述驱动用薄膜电晶体与上述控制用薄膜电晶体之间设有保持电容,上述包持电容之一边的电极兼做电力供给线,另一边的电极与上述控制用薄膜电晶体之汲极电极连接而形成辅助电极,上述辅助电极系与上述驱动用薄膜电晶体之闸极电极做电气的连接。9.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中具有发出不同色光的发光元件,对应于该每发光色设有复数条电力供给线,该等复数条电力供给配置于驱动用薄膜电晶体与控制用薄膜电晶体之间,将来自所对应的电力供给线之电流供给至发光元件。10.如申请专利范围第7项所述之显示装置,其中用闸极讯号线作为上述控制用薄膜电晶体之闸极电极,上述控制用薄膜电晶体系形成于闸极讯号线上。11.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中在上述发光元件之周围配置有绝缘库层(bank),上述绝缘库层系重叠于上述控制用薄膜电晶体上而形成,在上述发光元件与邻接于画素设置之上述控制用薄膜电晶体之间的上述绝缘库层上形成缺口部,至少在缺口部附近的上述绝缘库层上沈积遮光性的膜。12.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中在上述发光元件之周围配置有绝缘库层(bank),上述绝缘库层系重叠于上述控制用薄膜电晶体上而形成,在上述发光元件与邻接于画素设置之上述控制用薄膜电晶体之间的上述绝缘库层上形成缺口部,至少在缺口部附近的上述绝缘库层上沈积遮光性的膜。13.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中形成覆盖上述驱动用薄膜电晶体及控制用薄膜电晶体的绝缘库层,上述绝缘库层之边缘位于驱动用薄膜电晶体及控制用薄膜电晶体与上述发光元件之间,在上述绝缘库层上沈积遮光性的膜。14.如申请专利范围第11.12或13项所述之显示装置,其中具有配置于上述发光元件之发光层的下方且同时连接于上述驱动用薄膜电晶体的画素电极,以及夹着上述发光层而与上述画素电极相向配置且同时覆盖上述绝缘库层之相对电极,上述遮光性的膜系藉由上述相对电极而形成。15.如申请专利范围第1至13项中之任一项所述之显示装置,其中上述驱动用TFT与上述控制用TFT系藉由n通道型而形成。16.如申请专利范围第1至13项中之任一项所述之显示装置,其中上述驱动用TFT与上述控制用TFT系藉由p通道型而形成。17.如申请专利范围第1至13项中之任一项所述之显示装置,其中上述发光有机元件为有机电激发光元件。图式简单说明:第1图为本发明实施例之显示装置的画素部分电路图。第2图为本发明之显示装置之画素及周边的平面图。第3图为设于画素内发光元件之剖面示意图。第4图为RGB三画素之一的画素平面图。第5图为控制用TFT周边的剖面示意图。第6图为电力供给线及保持电容周边的剖面示意图。第7图为驱动用TFT周边的剖面示意图。第8A图及第8B图表示在不遮光及遮光的状况下入射TFT的光。 |
