| 主权项 |
1.一种低温多晶矽薄膜电晶体之结构,包括:复数个多晶矽层,配置在一基板上,其中每一该些多晶矽层中系包括有一源极区、一汲极区以及位于该源极区以及该汲极区之间之一通道区;一闸介电层,覆盖在该些多晶矽层之上;一闸极,配置在该些通道区上方之该闸介电层上;一中间介电层,形成在该基板之上方,覆盖住该闸极;复数个源极接触窗,位于该中间介电层以及该闸介电层中,每一该些源极接触窗系与对应的其中一该些源极区电性接触;复数个汲极接触窗,位于该中间介电层以及该闸介电层中,每一该些汲极接触窗系与对应的其中一该些汲极区电性接触;一源极金属层,形成在该中间介电层上,其中该源极金属层系与该些源极接触窗电性连接;以及一汲极金属层,形成在该中间介电层上,其中该汲极金属层系与该些汲极接触窗电性连接,其中每一该些源极区/汲极区/通道区以及该闸极系构成一子薄膜电晶体,且每一该些子薄膜电晶体之通道宽度为W,通道长度为L。2.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体系为一p型薄膜电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体系为一n型薄膜电晶体。4.如申请专利范围第3项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些n型薄膜电晶体更包括一淡掺杂汲极区,配置在每一该些源极区/汲极区以及其通道区之间。5.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体之通道宽长比(W/L)系介于0.1至8之间。6.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该闸极系为一直线形闸极,且该源极金属层以及该汲极金属层系分别为一直线形源极金属层以及一直线形汲极金属层。7.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该闸极系为一U形闸极,该源极金属层系对应配置在该U形闸极的内部,而该汲极金属层系为对应配置在该U型闸极外部之一U形汲极金属层。8.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该源极金属层具有复数个源极金属层接触部以及一源极金属层连接部,且每一该些源极金属层接触部系与每一该些源极接触窗电性连接,而该源极金属层连接部系将该些源极金属层接触部串接起来。9.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该汲极金属层具有复数个汲极金属层接触部以及一汲极金属层连接部,且每一该些汲极金属层接触部系分别与每一该些汲极接触窗电性连接,而该汲极金属层连接部系将该些汲极金属层接触部串接起来。10.一种低温多晶矽薄膜电晶体之结构,包括:一闸极,配置在一基板上;一闸介电层,形成在该基板之上方,覆盖在该闸极;复数个多晶矽层,配置在该闸介电层上,其中每一该些多晶矽层中系包括有一源极区、一汲极区以及位于该源极区以及该汲极区之间之一通道区,且该些通道区系位于该闸极之上方;一中间介电层,形成在该基板之上方,覆盖住该多晶矽层;复数个源极接触窗,位于该中间介电层中,每一该些源极接触窗系与对应的其中一该些源极区电性接触;复数个汲极接触窗,位于该中间介电层中,每一该些汲极接触窗系与对应的其中一该些汲极区电性接触;一源极金属层,形成在该中间介电层上,其中该源极金属层系与该些源极接触窗电性连接;以及一汲极金属层,形成在该中间介电层上,其中该汲极金属层系与该些汲极接触窗电性连接,其中每一该些源极区/汲极区/通道区以及该闸极系构成一子薄膜电晶体,且每一该些子薄膜电晶体之通道宽度为W,通道长度为L。11.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体系为一p型薄膜电晶体。12.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体系为一n型薄膜电晶体。13.如申请专利范围第12项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些n型薄膜电晶体更包括一淡掺杂汲极区,配置在每一该些源极区/汲极区以及其通道区之间。14.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中每一该些子薄膜电晶体之通道宽长比(W/L)系介于0.1至8之间。15.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该闸极系为一直线形闸极,且该源极金属层以及该汲极金属层系分别为一直线形源极金属层以及一直线形汲极金属层。16.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该闸极系为一U形闸极,该源极金属层系对应配置在该U形闸极的内部,而该汲极金属层系为对应配置在该U型闸极外部之一U形汲极金属层。17.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该源极金属层具有复数个源极金属层接触部以及一源极金属层连接部,且每一该些源极金属层接触部系与每一该些源极接触窗电性连接,而该源极金属层连接部系将该些源极金属层接触部串接起来。18.如申请专利范围第10项所述之低温多晶矽薄膜电晶体之结构,其中该汲极金属层具有复数个汲极金属层接触部以及一汲极金属层连接部,且每一该些汲极金属层接触部系分别与每一该些汲极接触窗电性连接,而该汲极金属层连接部系将该些汲极金属层接触部串接起来。图式简单说明:第1A图是习知低温多晶矽薄膜电晶体之上视示意图;第1B图是习知低温多晶矽薄膜电晶体之剖面示意图;第2图是依照本发明一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之上视示意图;第2A图是依照本发明一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之剖面示意图;第2B图是依照本发明另一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之剖面示意图;第3图是依照本发明再一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之上视示意图;第4图是依照本发明另一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之上视示意图;以及第5图是依照本发明另一较佳实施例之低温多晶矽薄膜电晶体之上视示意图。 |
