| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括:提供一晶圆,该晶圆上已形成有一罩幕层;提供一空白晶圆;将该空白晶圆送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制程;在该蚀刻制程之后,检测该空白晶圆上之一缺陷数量;倘若该空白晶圆上之该缺陷数量小于一标准値,才将该晶圆送进该蚀刻机台中以进行该蚀刻制程,而于该晶圆中定义出一沟渠;在该沟渠中填入一绝缘层;以及移除该罩幕层,以形成一浅沟渠隔离区。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该空白晶圆上并未形成有任何膜层。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括利用一暗场(dark field)检测法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括利用一亮场(bright field)检测法。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括在进行该蚀刻制程之前先对该空白晶圆进行一第一扫描步骤,在进行该蚀刻制程之后再对该空白晶圆进行一第二扫描步骤,比对该第一扫描步骤与该第二扫描步骤之结果差异以判断该空白晶圆上之该缺陷数量。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该罩幕层以及该晶圆之间更包括形成一垫氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该蚀刻制程包括一蚀刻反应步骤以及一清洗步骤。10.一种浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,包括:提供一产品晶圆以及一空白晶圆;在将该产品晶圆送进一蚀刻机台以进行一蚀刻制程之前,先将该空白晶圆送进该进行该蚀刻制程;扫描该空白晶圆,以检视该蚀刻制程过程中产生之一缺陷数量;以及倘若该空白晶圆上之该缺陷数量小于一标准値,才将该产品晶圆送进该蚀刻机台中以进行该蚀刻制程,而定义出一沟渠之位置。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,其中该空白晶圆上并未形成有任何膜层。12.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括利用一暗场(dark field)检测法。13.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括利用一亮场(bright field)检测法。14.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,其中检测该空白晶圆上是否有缺陷产生之方法包括在进行该蚀刻制程之前先对该空白晶圆进行一第一扫描步骤,在进行该蚀刻制程之后再对该空白晶圆进行一第二扫描步骤,比对该第一扫描步骤与该第二扫描步骤之结果差异以判断该空白晶圆上之该缺陷数量。15.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离制程中缺陷监控的方法,其中该蚀刻制程包括一蚀刻反应步骤以及一清洗步骤。图式简单说明:第1图是依照本发明一较佳实施例之形成一浅沟渠隔离区之流程图。 |
