| 主权项 |
1.一种重做光阻层的方法,包括下列步骤:提供一晶片,在该晶片上已依序形成一绝缘层、一底层抗反射涂布层以及一第一光阻层;去除部份该第一光阻层;以一不会破坏该底层抗反射涂布层之低温电浆处理步骤完全去除该底层抗反射涂布层上之该第一光阻层;以及在该底层抗反射涂布层上形成一第二光阻层。2.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中该不会破坏该底层抗反射涂布层之低温电浆处理步骤的操作温度低于摄氏150度。3.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中该不会破坏该底层抗反射涂布层之低温电浆处理步骤所使用的气体源包括氧气。4.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中该不会破坏该底层抗反射涂布层之低温电浆处理步骤所使用的气体源包括氮气。5.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中该不会破坏该底层抗反射涂布层之低温电浆处理步骤所使用的气体源包括氮气/氢气的混合气体。6.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中该底层抗反射涂布层的材质包括氮氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述重做光阻层的方法,其中去除部份光阻层的方法包括湿式蚀刻法。图式简单说明:第1A至1C图是依照本发明一较佳实施例之重做光阻层的方法的流程剖面示意图。 |
