| 主权项 |
1.一种场效电晶体,特别是金属绝缘(MIS)场效电晶体,具有:a)一源极以及一汲极区域;b)一通道区域(8),其配置于介于该源极与该汲极区域之间;c)一闸极电极(11),其以与该通道区域电绝缘之方式配置于该通道区域之上方;d)一沟槽隔离(3),其横向限制该通道区域(8);以及e)该通道区域(8)之至少一部分区域(8a、8b)覆盖该沟槽隔离(3)之一部份(6)。2.如申请专利范围第1项之场效电晶体,其中该通道区域(8)为一磊晶产生之半导体区域。3.如申请专利范围第1项或第2项之场效电晶体,其中一槽状凹处沿着该沟槽隔离之上边缘形成。4.如申请专利范围第1项或第2项之场效电晶体,其中覆盖该沟槽隔离(3)一部份(6)之该通道区域(8)之部分区域(8a、8b)占据超过10%该通道区域,较佳地占据超过20%该通道区域。5.如申请专利范围第1项或第2项之场效电晶体,其中大于可以藉由用以制作该等电晶体之微影制作之该最小态样大小F之1.2倍之该通道区域之宽度,大于可以藉由用以制作该等电晶体之微影制作之该最小态样大小F之1.4倍为较佳。6.如申请专利范围第1项或第2项之场效电晶体,其中该通道区域(8)之表面配置于该沟槽隔离(3)表面(3a)之下方。7.如申请专利范围第1项或第2项之场效电晶体,其中该通道区域(8)之表面配置于该沟槽隔离(3)表面(3a)之上方,因此该通道区域(8)具有水平及垂直区域(8c、8d)。8.一种用于制作一场效电晶体之方法,特别是用于制作一金属绝缘(MIS)场效电晶体之方法,该方法具有下列步骤:a)提供具有至少一作用区域(2)以及已经完成之沟槽隔离(3)之一半导体基板(1);b)完成一选择性磊晶,一本质单晶格半导体材料(7)形成于该作用区域(2)之上方以及形成于该沟槽隔离(3)一部份(6)之上方,所以产生一通道区域(8);c)产生一闸极氧化物(10)于该通道区域(8)上以及产生一闸极电极(11)于该闸极氧化物(10)上;以及d)产生该等源极以及汲极区域。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在步骤b)中于该选择性磊晶之前完成一蚀刻,蚀刻结合该作用区域(2)之沟槽隔离(3)之至少一部份(6),所以一槽状凹处沿着该沟槽隔离(3)之上边缘产生。10.如申请专利范围第9项之方法,其中结合该作用区域(2)之该沟槽隔离(3)之部分(6)被等向蚀刻。11.如申请专利范围第9项或第10项之方法,其中在步骤a)中,一氧化物层(4)配置于该作用区域(2)之上方以及该作用区域(2)上之氧化物层(4)以该沟槽隔离之蚀刻移除,所以一槽状凹处沿着该沟槽隔离(3)之上边缘产生。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该沟槽隔离(3)之蚀刻以该氧化物层(4)之移除加以结束。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该沟槽隔离(3)之蚀刻亦在该氧化物层(4)移除之后继续。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该氧化物层(4)以及该沟槽隔离(3)之蚀刻系相对于该作用区域(2)之材料而选择性地执实。15.如申请专利范围第8项或第9项之方法,其中步骤b)之该选择性磊晶以该通道区域(8)表面配置于该沟槽隔离(3)表面(3a)之下方之此种方式执行。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在该选择性磊晶之后,对该磊晶表面平坦化执行热处理。17.如申请专利范围第8项或第9项之方法,其中步骤b)之该选择性磊晶以该通道区域(8)表面配置于该沟槽隔离(3)表面(3a)之上方以及该通道区域(8)形成为具有水平及垂直区域(8c、8d)之此种方式执行。18.如申请专利范围第8项或第9项之方法,其中单晶格矽藉由该选择性磊晶加以形成。19.如申请专利范围第9项之方法,其中于该选择性磊晶之前,至少该作用区域(2)以及该沟槽隔离(3)蚀刻部分(6)藉由一电子光束扫掠力显微镜加以量测。20.如申请专利范围第9项之方法,其中结合该作用区域(2)之该沟槽隔离(3)部分(6)之蚀刻藉由一湿式化学蚀刻实现。21.如申请专利范围第8项或第9项之方法,其中于该闸极氧化物(10)产生之前,涂敷一牺牲性氧化物以及再次移除该牺牲性氧化物。图式简单说明:图1-3显示如本发明用于制作场效电晶体方法之第一具体实施例;以及图4-7显示如本发明用于制作场效电晶体方法之另一具体实施例;图8-13显示如本发明用于制作场效电晶体方法之另一具体实施例;以及图14显示如图13显示之如本发明之场效电晶体放大图。 |
