发明名称 可提高传输速度之储存装置
摘要 一种可提高传输速度之储存装置,主要系由一控制器与至少一固态储存媒体所构成;其中,控制器内至少具有一与外部系统端连接之系统介面、一处理系统指令之微处理器以及一与该等固态储存媒体沟通之记忆体介面;其中,系统介面与记忆体介面间配置一资料压缩模组,被用以对系统介面所传送之原始资料予以压缩成对应之微量化资料;该资料压缩模组分别在与系统介面及记忆体介面之间各设有多层式之前端资料缓冲区及后端资料缓冲区,被用以规划适当区隔系统介面进行原始资料传输资料与记忆体介面进行压缩资料传输之缓冲区,以利同步进行系统介面资料传输、暂存于原始资料缓冲区之资料进行压缩以及将记忆体介面压缩后资料传输等作业,俾使大幅提高储存装置的资料传输率者。五、(一)、本案代表图为:第___6____图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:1:储存装置10:控制器104:系统介面102:微处理器106:记忆体介面108:资料压缩/解压缩模组132:第一层系统端资料缓冲区134:第二层系统端资料缓冲区136:第一层记忆体资料缓冲区138:第二层记忆体资料缓冲区20:固态储存媒体2:外部系统端
申请公布号 TW586657 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092210329 申请日期 2003.06.05
申请人 万国电脑股份有限公司 发明人 陈加立;谢祥安
分类号 G06F3/02 主分类号 G06F3/02
代理机构 代理人
主权项 1.一种可提高传输速度之储存装置,系由一控制器与至少一固态储存媒体所构成,该控制器内具有一与外部预设系统端连接之系统介面、一处理系统指令之微处理器以及一与该等固态储存媒体沟通之记忆体介面;其特征在于:在该系统介面与该记忆体介面之间配置有复数个资料缓冲区,该等资料缓冲区系采多层式设计,其中第一层资料缓冲区与次一层资料缓冲区系以交替式同步进行资料的接收与传送作业,藉以同步进行系统介面与记忆体介面间的资料输送作业。2.一种可提高传输速度之储存装置,系由一控制器与至少一固态储存媒体所构成,该控制器内具有一与外部预设系统端连接之系统介面、一处理系统指令之微处理器、一与该等固态储存媒体沟通之记忆体介面,其特征在于:该储存装置设有一资料压缩/解压缩模组,其具备一压缩机制可用以对系统介面所传送之原始资料以一预设比例压缩成对应之微量化资料,藉此,提高存取速度者。3.如申请专利范围第2项所述之可提高传输速度之储存装置,其中该资料压缩/解压缩模组,其内具备一解压缩机制,可透过微处理器的触发,将储存于固态储存媒体内之微量化压缩资料予以解压缩还原成原始资料而向外部传送者。4.如申请专利范围第2项所述之可提高传输速度之储存装置,其中储存装置系具备一第一资料缓冲区,该第一资料缓冲区系电性连接该系统介面、微处理器、资料压缩/解压缩模组。5.如申请专利范围第2项所述之可提高传输速度之储存装置,其中控制器内系具备一第二资料缓冲区,该第二资料缓冲区系电性连接记忆体介面、微处理器、资料压缩/解压缩模组。6.如申请专利范围第2项所述之可提高传输速度之储存装置,其中该资料压缩/解压缩模组系配置于控制器内且介于该系统介面与该记忆体介面之间。7.一种可提高传输速度之储存装置,系由一控制器与至少一固态储存媒体所构成,该控制器内具有一与外部预设系统端连接之系统介面、一处理系统指令之微处理器以及一与该等固态储存媒体沟通之记忆体介面;其特征在于:在该系统介面与该记忆体介面间配置一资料压缩/解压缩模组,被用以对系统介面所传送之原始资料以一预设比例压缩成对应之微量化资料,以加快资料在储存装置内的传输作业;在该资料压缩模组与该系统介面间设置一由多层系统端资料缓冲区所组成之前端资料缓冲区,该前端资料缓冲区系采多层式设计,其中前层系统端资料缓冲区与次一层系统端资料缓冲区系以交替式同步进行原始资料的接收与传送作业,藉以同步进行系统介面与资料压缩/解压缩模组间的原始资料输送作业;在该资料压缩模组与该记忆体介面间设置一由多层记忆体资料缓冲区所组成之后端资料缓冲区,该后端资料缓冲区系采阶层式设计,其中前层记忆体资料缓冲区与次一层记忆体资料缓冲区系以交替式同步进行微量化资料的接收与传送作业,藉以同步进行记忆体介面与资料压缩/解压缩模组间的微量化资料输送作业。8.如申请专利范围第7项所述之可提高传输速度之储存装置,其中该资料压缩/解压缩模组,其内具备一解压缩机制,可透过微处理器的触发,将储存于固态储存媒体内之微量化压缩资料予以解压缩还原成原始资料而向外部传送者。9.如申请专利范围第7或第8项所述之可提高传输速度之储存装置,其中该资料压缩/解压缩模组系配置于控制器内。10.如申请专利范围第7项所述之可提高传输速度之储存装置,其中后端资料缓冲区的储存容量与前端资料缓冲区相同。11.如申请专利范围第7项所述之可提高传输速度之储存装置,其中后端资料缓冲区的储存容量可依压缩倍数而小于该前端资料缓冲区。图式简单说明:第1图绘示的是习知储存装置之一电路概略图;第2A~2C图绘示的是习知依据图1之一运作流程图;第3图绘示的是本创作之一较佳实施例之储存装置之一电路概略图;第4A~4C图绘示的是本创作依据图3之一运作流程图;第5图绘示的是本创作之另一较佳实施例之储存装置之一电路概略图;第6图绘示的是本创作之再一较佳实施例之储存装置之一电路概略图;以及第7A~7D图绘示的是本创作依据图6之一运作流程图。
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