| 主权项 |
1.一种磁电元件,包含:一导电层,产生一磁场;一铁磁夹层,毗连至该导电层;以及一反铁磁层,毗连至该铁磁夹层。2.如申请专利范围第1项之磁电元件,进一步包含:一非磁性层,位于该铁磁夹层和该反铁磁层之间。3.如申请专利范围第1项之磁电元件,进一步包含:一另外的反铁磁层,位于该铁磁夹层和该导电层之间,其中:铁磁夹层位于该反铁磁层和另外的反铁磁层之间。4.如申请专利范围第3项之磁电元件,其中:该另外的反铁磁层与该铁磁夹层和该导电层相邻;以及该反铁磁层与该铁磁夹层相邻。5.如申请专利范围第3项之磁电元件,进一步包含:一非磁性层,位于该铁磁夹层和该反铁磁层之间。6.如申请专利范围第1项之磁电元件,进一步包含:一另外的导电层,位于该导电层之上以及跨过其上面,产生另外的磁场;一另外的铁磁夹层,毗连至该另外的导电层;以及一另外的反铁磁层,毗连至该铁磁夹层。7.如申请专利范围第6项之磁电元件,其中:该反铁磁层于第一方位,提供一第一交换偏差场;以及该另外的反铁磁层于第二方位,提供一不同于第一方位的第二交换偏差场。8.如申请专利范围第6项之磁电元件,其中:该反铁磁层于第一方向,在从该导电层算起的第一个零至九十度角度,提供一第一交换偏差场;以及该第二反铁磁层于第二方向,在从该另外的导电层算起的第二个零至九十度角度,提供一第二交换偏差场。9.一种微机械式磁性记忆元件,包含:一基板;一第一复数线,大体上与彼此相互平行,并位在该基板上,以及产生第一磁场,每个该第一复数线包含:一第一导电层;一第一铁磁夹层,毗连至该第一导电层;以及一第一反铁磁层,毗连至该第一铁磁夹层;复数多态磁性记忆体单位,被该第一复数线分隔于第一栅极样式中,以及位于该基板之上;以及一第二复数线,大体上与彼此相互平行,大体上与该第一复数线正交,其位在该第一复数线之上,其位在该多态磁性记忆体单位之上,以及产生第二磁场,每个该第二复数线包含:一第二导电层;一第二铁磁夹层,毗连至该第二导电层;以及一第二反铁磁层,毗连至该第二铁磁夹层。10.如申请专利范围第9项之微机械式磁性记忆元件其中:该第一反铁磁层于第一方向,在从该第一复数线的一易化磁轴算起的第一个小于九十度角度上,提供一第一交换偏差场;以及该第二反铁磁层于第二方向,在从该第二复数线的一易化磁轴算起的第二个小于九十度角度上,提供一第二交换偏差场。图式简单说明:图1依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件的一部分的俯视图;图2依照本发明的一具体实施例,说明图1沿着区段线2-2的一微机械式磁电元件的一部分的截面图;图3依照本发明的一具体实施例,说明磁化对磁场的图表;图4依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件内一写入线之部分的截面等角座标图;图5依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件内不同写入线之部分的截面等角座标图;图6依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件内另一个写入线之部分的截面等角座标图;图7依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件内再另一个写入线之部分的截面等角座标图;以及图8依照本发明的一具体实施例,说明一微机械式磁电元件内又再另一个写入线之部分的截面等角座标图。 |
