| 主权项 |
1.一种湿制程系统之晶圆加工装置,其包含:一晶圆支撑元件,以接收一晶圆,并用以移动该晶圆;一接触环,系连结至该晶圆支撑元件,以承接该晶圆,并与该晶圆支撑元件共同夹置该晶圆,以使该晶圆随该晶圆支撑元件移动;以及一震动器,其该晶圆支撑元件相连或组设于该晶圆支撑元件,系用以于该晶圆表面润湿或沈浸于一溶液时,产生震动以移除晶圆表面气泡。2.如申请专利范围第1项所述之湿制程系统之晶圆加工装置,其更包含复数个退片弹性顶柱,与晶圆支撑元件相连,用以固定该晶圆之湿制程未加工面,并用于该晶圆完成制程后移出该晶圆于该晶圆加工装置外。3.如申请专利范围第1项所述之湿制程系统之晶圆加工装置,其更包含至少一气密橡胶环以防止该溶液流入该晶圆之未加工面。4.如申请专利范围第3项所述之湿制程系统之晶圆加工装置,其更包含一缓冲垫片,填充介于该除气泡震动器与该气密橡胶环之空间,当该缓冲垫片充气时该晶圆固定于该晶圆支撑元件上。5.如申请专利范围第1项所述之湿制程系统之晶圆加工装置,其中该溶液为电解溶液,且该电解溶液系位于一电解槽中。6.一种湿制程系统之晶圆加工方法,包括以下之步骤:(a)提供一具有一晶圆支撑元件,一接触环,以及一震动器之晶圆加工装置,其中该晶圆支撑元件,用以接收并移动该晶圆;该接触环系连结至该晶圆支撑元件,以承接该晶圆,并与该晶圆支撑元件共同夹置该晶圆,以使该晶圆随该晶圆支撑元件移动;该震动器系与该晶圆支撑元件相连或组设于该晶圆支撑元件,系用以于该晶圆表面润湿或沈浸于一溶液时,产生震动以移除晶圆表面气泡;(b)将该晶圆置放在该湿制程系统之晶圆加工装置之该晶圆支撑元件上;(c)调整该晶圆支撑元件以使该晶圆倾斜一角度;(d)移动该晶圆支撑元件使该晶圆以该倾斜角度浸入一溶液中,并开启该震动器去除气泡;(e)将该晶圆由倾斜角度移至水平,晶圆加工制程开始。7.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其更包含步骤(f)于该晶圆完成加工程序后,移动该晶圆支撑元件以将该晶圆由水平移至倾斜角度,并将该晶圆以倾斜角度自该溶液移出。8.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其更包含步骤(g)以在晶圆加工完成后,移动该晶圆支撑元件以将该晶圆垂直于该液体表面方向移出该溶液外。9.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其系于一电镀室中完成,而该溶液为一电解液。10.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其中步骤(b)中该晶圆支撑元件所接收之晶圆之湿制程加工面为朝向液面。11.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其中步骤(b)与(c)均在一乾燥区域中进行。12.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其中该晶圆与制程溶液接触时,该震动器皆为开启。13.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其中该晶圆加工装置更包含复数个退片弹性顶柱,与该晶圆支撑元件相连,使晶圆之未加工面均匀受力,用以固定该晶圆,并用于该晶圆完成制程后移出该晶圆于该晶圆加工装置外。14.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其更包含至少一气密橡胶环以防止该溶液流入该晶圆之未加工面。15.如申请专利范围第14项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,其中该晶圆加工装置更包含一缓冲垫片,填充介于该除气泡震动器与该气密橡胶环之空间,当该缓冲垫片充气时该晶圆固定于该晶圆支撑元件上。16.如申请专利范围第6项所述之湿制程系统之晶圆加工方法,在步骤(d)中更包含旋转该晶圆以浸入该溶液中,以使该晶圆表面之气泡以离心力移出该晶圆表面外。图式简单说明:图1系本发明之晶圆加工装置一较佳实施例之立体图。图2系本发明之湿制程系统之晶圆加工方法一较佳实施例之流程图。 |
