| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一绝缘层;图案化该绝缘层以于该绝缘层中形成一第一开口;于该基底上形成一第一导体层,且该第一导体层并未填满该第一开口;于该第一导体层上形成一第二导体层,且该第二导体层填满该第一开口;移除该第一开口以外之该第一导体层与该第二导体层,直到暴露该绝缘层;回蚀刻部分之该第一导体层与该第二导体层,使该第一导体层与该第二导体层之表面低于该绝缘层表面,而形成一第二开口;于该第二开口中形成一顶盖层;移除该绝缘层;以及于该第一导体层侧壁形成衬垫层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中于图案化该绝缘层以于该绝缘层中形成该第一开口的步骤之后与于该基底上形成该第一导体层,且该第一导体层并未填满该第一开口的步骤之前更包括进行一清洗制程。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中该第一导体层包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中该第二导体层包括耐热金属矽化物。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中移除该第一开口以外之该第一导体层与该第二导体层,直到暴露该绝缘层之方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中于该第一导体层侧壁形成衬垫层之方法系选自热氧化法与化学气相沈积法。7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中该绝缘层之材质包括与该第一导体层、该第二导体层、该顶盖层具有不同蚀刻选择性者。8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之制造方法,其中于回蚀刻部分之该第一导体层与该第二导体层,使该第一导体层与该第二导体层之表面低于该绝缘层表面,而形成该第二开口之步骤后与于该第二开口中形成该顶盖层之步骤前更包括移除部分该第一导体层,使该第一导体层之表面低于该第二导体层。9.一种多晶矽化金属闸极结构的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一绝缘层;图案化该绝缘层以于该绝缘层中形成暴露该基底之复数个第一开口;于该些第一开口所暴露之该基底上形成一闸极介电层;于该基底上形成一多晶矽层,且该多晶矽层并未填满该些第一开口;于该多晶矽层上形成一耐热金属矽化物层,且该耐热金属矽化物层填满该些第一开口;移除该些第一开口以外之该多晶矽层与该耐热金属矽化物层,直到暴露该绝缘层;回蚀刻部分之该多晶矽层与该耐热金属矽化物层,使该多晶矽层与该耐热金属矽化物层之表面低于该绝缘层表面,而形成复数个第二开口;于该些第二开口中形成一顶盖层;移除该绝缘层,以形成复数个多晶矽化金属闸极结构;以及于该些多晶矽化金属闸极结构之侧壁形成一衬垫层。10.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中于该基底上形成该多晶矽层的步骤之后与于该基底上形成该耐热金属矽化物层的步骤之前更包括进行掺质植入步骤,使该多晶矽层分为一第一导电型多晶矽层与一第二导电型多晶矽层。11.如申请专利范围第10项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中在移除该些第一开口以外之该多晶矽层与该耐热金属矽化物层,直到暴露该绝缘层的步骤之后,该第一导电型多晶矽层与该第二导电型多晶矽层分别位于不同之该些第一开口中。12.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中于图案化该绝缘层以于该绝缘层中形成该第一开口的步骤之后与于该基底上形成该第一导体层,且该第一导体层并未填满该第一开口的步骤之前更包括进行一清洗制程。13.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中于该些第一开口所暴露之该基底上形成该闸极介电层之方法系选自热氧化法与化学气相沈积法。14.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中该绝缘层之材质包括与该多晶矽层、该耐热金属矽化物层、该顶盖层具有不同蚀刻选择性者。15.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中该耐热金属矽化物层系选自矽化钨、矽化镍、矽化钴、矽化钛、矽化钼、矽化铂及矽化钯其中之一。16.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中移除该些第一开口以外之该多晶矽层与该耐热金属矽化物层,直到暴露该绝缘层之方法包括化学机械研磨法。17.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中于该些多晶矽化金属闸极结构之侧壁形成该衬垫层包括热氧化法。18.如申请专利范围第9项所述之多晶矽化金属闸极结构的制造方法,其中于回蚀刻部分之该多晶矽层与该耐热金属矽化物层,使该多晶矽层与该耐热金属矽化物层之表面低于该绝缘层表面,而形成复数个第二开口之步骤后与于该些第二开口中形成该顶盖层之步骤前更包括移除部分该多晶矽层,使该多晶矽层表面低于该耐热金属矽化物层表面。19.一种半导体元件之结构,包括:一基底;一介电层,设置于该基底上;一第一导体层,设置于该介电层上,该第一导体层具有一开口;一第二导体层,设置于该第一导体层之该开口中;一顶盖层,设置于该第一导体层与该第二导体层上;以及一衬垫层,设置于该第一导体层两侧之侧壁上。20.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之结构,其中该第一导体层截面呈U字形。21.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之结构,其中该第一导体层包括多晶矽。22.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之结构,其中该第二导体层包括耐热金属矽化物。23.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之结构,其中该顶盖层包括氮化矽。24.如申请专利范围第19项所述之半导体元件之结构,其中该第二导体层突出该第一导体层之该开口,且该顶盖层覆盖该第二导体层上部分侧壁。图式简单说明:第1A图至第1D图所绘示为习知一种多晶矽化钨闸极结构的制造方法流程剖面图。第2A图至第2H图所绘示为本发明较佳实施例之半导体元件的制造方法流程剖面图。第3图所绘示为本发明之半导体元件剖面图。 |
