| 主权项 |
1.一种指间光感应电动势感测器,其包含:一基板;多个在该基板中之感测区域,每个感测区域包括(i)一对配置于与该基板相邻之电极以及(ii)在该基板中配置为与该对电极相邻之主动区域;以及多个在该基板中配置在相邻感测区域之间之非主动区域,其中将非主动区域和该感测区域掺杂以一钝化媒介,非主动区域接收一相对较高之该钝化媒之剂量以藉此使得在其中发生相对较高程度之缺陷,而该感测区域接收一相对较低之钝化媒介之剂量以藉此使得在其中发生相对较低程度之缺陷。2.如申请专利范围第1项之指间光感应电动势感测器,其中钝化媒介一质子之掺杂。3.如申请专利范围第2项之指间光感应电动势感测器,其中在非主动区域中之质子剂量为每cm2为1013,或更大,而在感测区域中之质子剂量为每cm2为1012或较小。4.如申请专利范围第3项之指间光感应电动势感测器,其中在感测区域中之质子剂量为每cm2为1010至1012。5.如申请专利范围第4项之指间光感应电动势感测器,其中该基板包括一非对称Fabry-Perot结构以将透过感测区域之入射光子反射回该感测区域中。6.如申请专利范围第1项之指间光感应电动势感测器,其中该基板具有一支撑该电极之表面,且其进一步包括一在该表面上之透明覆盖层以钝化表面并使来自表面之光学反射最小化。7.如申请专利范围第1项之指间光感应电动势感测器,其中该基板系由下列所构成之群组中选出的(i)诸如GaAs,AlGaAs,InP,CdTe,Si和类似者之半导体,(ii)铁电氧化物和(iii)聚合物。8.如申请专利范围第1项之指间光感应电动势感测器,其中一感测区域之电极对系彼此间隔一远小于该主动区域之扩散长度之距离。9.如申请专利范围第8项之指间光感应电动势感测器,其中该基板包括至少一层GaAs,且一感测区域之电极对彼此间隔之距离约20微米。10.如申请专利范围第1项之指间光感应电动势感测器,其中主动区域和非主动区域之钝化媒为布植之质子。11.一种光感应电动势感测器,其包含:一基板;以及至少一在该基板中之感测区域,该至少一感测区域包括:(i)一对配置于该基板中,上面或上方之电极以及(ii)一配置于该基板中邻近于该对电极之主动区域,该至少一感测区域之电极对彼此间隔一远小于该主动区域之扩散长度之距离。12.如申请专利范围第11项之光感应电动势感测器,其中该基板支撑多个指间状之至少一感测区域,且进一步包括多个在该基板中配置于相邻感测区域之间之非主动区域。13.如申请专利范围第12项之光感应电动势感测器,其中非主动区域和该感测区域系掺杂以一钝化媒,该隔绝区域接收相对较高之钝化媒之剂量,而该感测区域接收相对较低之钝化媒之剂量。14.如申请专利范围第13项之光感应电动势感测器,其中主动区域和非主动区域之钝化媒为质子之掺杂。15.如申请专利范围第14项之光感应电动势感测器,其中在非主动区域中之质子剂量为每cm2为1013,或更大,而在感测区域中之质子剂量为每cm2为1012或较小。16.如申请专利范围第15项之光感应电动势感测器,其中在感测区域中之质子剂量为每cm2为1010至1012。17.如申请专利范围第11项之光感应电动势感测器,其中该基板包括一非对称Fabry-Perot结构以将透过感测区域之入射光子反射回该感测区域中。18.如申请专利范围第11项之光感应电动势感测器,其中该基板具有一支撑该电极之表面,且其进一步包括一在该表面上之透明覆盖层以钝化表面并使来自表面之光学反射最小化。19.如申请专利范围第11项之光感应电动势感测器,其中该基板之主动区域系由下列所构成之群组中选出的(i)诸如GaAs,AlGaAs,InP,CdTe,Si和类似者之半导体,(ii)铁电氧化物和(iii)聚合物。20.如申请专利范围第1项之光感应电动势感测器,其中该基板包括至少一层GaAs,在其上配置电极对,且其中一感测区域之电极对彼此间隔之距离约20微米。21.如申请专利范围第11项之光感应电动势感测器,其中该至少一感测区域之电极对彼此间隔一小于该主动区域之扩散长度之一半之距离。22.一种形成一光感应电动势感测器之方法,其包含:(a)提供一具有一主要表面之基板;(b)将一相对低剂量之钝化媒布植入该基板之区域中,定义其之一或多个感测区域之至少一部份;(c)以一光罩将该感测区域遮住;(d)将一相对高剂量之钝化媒布植入该基板之至少区域中,定义其之一或多个非主动区域之至少一部份;以及(e)移除光罩。23.如申请专利范围第22项之形成光感应电动势感测器之方法,其中钝化媒为质子。24.如申请专利范围第22项之形成光感应电动势感测器之方法,其中钝化媒在该区域中引入缺陷。25.如申请专利范围第24项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在非主动区域中之质子剂量为每cm2为1013,或更大,而在感测区域中之质子剂量为每cm2为1012或较小。26.如申请专利范围第25项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在感测区域中之质子剂量为每cm2为1010至1012。27.如申请专利范围第22项之形成光感应电动势感测器之方法,其进一步包括在该主要表面上或与之相邻形成一对电极,每个该一或多个感测区域包括(i)一对该电极,以及(ii)在该基板中配置于与该对电极相邻之一主动区域,该一或多个感测区域之电极对彼此间隔以一远小于该主动区域之扩散长度之距离。28.如申请专利范围第22项之形成光感应电动势感测器之方法,其中该基板包括至少一由一半导材料,一铁电氧化物和一聚合物所构成之群组中所选择之材料层。29.一种形成一光感应电动势感测器之方法,其包含:(a)提供一具有其之主要表面之基板;(b)在该基板之区域中造成晶格损坏,以定义其之一或多个感测区域之至少一部份;以及(c)在该基板之区域中造成晶格损坏,以定义其之或多个隔绝区域之至少一部份,发生于该一或多个隔绝区域中之晶格损坏之量明显地大于发生于该一或多个感测区域中之晶格损坏之量。30.如申请专利范围第29项之形成光感应电动势感测器之方法,其中使用质子来造成在该感测和隔绝区域中之晶格损坏。31.如申请专利范围第30项之形成光感应电动势感测器之方法,其中质子之掺杂系以每cm2为1013或更大之大小轰击入隔绝区域中,同时质子之掺杂以每cm2为1012或更小之大小轰击入感测区域中。32.如申请专利范围第30项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在感测区域中之质子之掺杂为每cm2为1010至1012。33.如申请专利范围第29项之形成光感应电动势感测器之方法,其进一步包括在该主要表面上或与之相邻形成一对电极,每个该一或多个感测区域包括(i)一对该电极,以及(ii)在该基板中配置于与该对电极相邻之一主动区域,该一或多个感测区域之电极对彼此间隔以一远小于该主动区域之扩散长度之距离。34.如申请专利范围第29项之形成光感应电动势感测器之方法,其中该基板包括至少一由一半导材料,一铁电氧化物和一聚合物所构成之群组中所选择之材料层。35.如申请专利范围第29项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在该基板之区域中造成晶格损坏,以定义其之一或多个感测区域之至少一部份之步骤全域地在该基板上作用。36.如申请专利范围第34项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在该基板之区域中造成晶格损坏以定义其之一或多个感测区域之至少一部份之步骤系以一低温回火程序来加以执行的。37.如申请专利范围第36项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在该基板之区域中造成晶格损坏以定义其之一或多个隔绝区域之至少一部份之步骤系以一离子布植程序来执行。38.如申请专利范围第29项之形成光感应电动势感测器之方法,其中在该一或多个隔绝区域中发生之晶格损坏之量至少为发生于该一或多个感测区域中之晶格损坏之量之10倍大。图式简单说明:第1图显示了一般以先前技艺装置可得之视场(FOV);第2图显示了可根据本发明实现之型式之增加视场(FOV);第3和4图为根据本发明之一非对称指间接触(AIDC)组态感测器之顶端和截面图;第5图为对具有2至32对电极之感测器之AIDC响应对栅周期之图形;第6图为操作如一1.06m之驻波腔之感测器之Fabry-Perot实施例,以及在腔内部和相邻Bragg反射器表面中之振幅之图形;第7图为一对不同数目之电极对,但具有一固定扩散长度之一感测器之计算响应性对FOV之图形;第8图为一对不同扩散长度和固定数目之电极对之一感测器之计算响应性对FOV之图形;第9图为一对不同扩散长度和不同数目之电极对之一感测器之计算响应性对FOV之图形。 |
