发明名称 半导体装置检验系统
摘要 一种装置检验设备,可按一种个别装置检验原则,检验多个半导体装置。利用一检验标的楝选部件(8)依据在半导体装置制造过程中对某一半导体装置进行检验时已被认定该装置系一瑕疵装置之资讯,省略执行一项应对制造中之各半导体装置执行的一项检验作业(程序)。
申请公布号 TW586170 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW090109786 申请日期 2001.04.24
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 唐泽涉
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种装置检验设备,可以个别装置原则,检验多个装置,其特征为:利用一检验标的拣选部件(8)依据在制造过程中对该装置进行检验时被认定该装置系一瑕疵装置之资讯,省略执行一项应对该装置执行的一项检验作业(程序)。2.如申请专利范围第1项中之装置检验装置,其中有一标记部件(18),其对那些已由上述检验标的物拣选部件(8)决定应省略检验之装置中的某一装置提供一个标记。3.如申请专利范围第1项中之装置检验设备,其中指明一瑕疵装置之资讯系被储存在一记忆体部件(11)之内。4.一种装置制造系统,包含:一装置制造设备(1,3,5),该设备系用以生产许多装置,并取得可认明其中任一瑕疵装置之资讯;及一装置检验设备(7),该装置检验设备系用以检验由该装置制造设备所制造之装置,其特征为:该装置检验设备(7)包括一检验标的物拣选部件(8),系根据一项指明在制造过程中由该装置制造设备所制成之某一装置含有瑕疵之资讯,而省略一项针对该瑕疵装置应进行之检验。5.如申请专利范围第4项中之装置制造系统,其中一标记部件(18),其对那些已由上述检验标的物拣选件(8)省略检验之装置中的某一装置提供一个标记。6.如申请专利范围第4项中之装置检验设备,其中指明一瑕疵装置之资讯系被储存在一记忆体部件(11)之内。7.一种装置制造系统,包含:许多装置制造设备(25);及一装置检验设备(7),该装置检验设备可检验由前述装置制造设备所制造之各项装置,其特征为:利用一检验部件(6)执行一项检验,以认定于该等装置被至少两个上述装置制造设备对其进行制造的过程中是否在该等装置内发生任何瑕疵,并取得一项经认定其中某一装置为瑕疵装置之资讯;及该检验设备(7)包括一检验标的物拣选部件(8),根据一项指明已在上述装置制造过程中认定一瑕疵装置的资讯,省略一项原应对该等装置执行的检验程序。8.一种装置检验方法,可以个别装置原则检验多个装置,其特征为具有下列步骤:准备能指明在该等装置制造过程中已认定为瑕疵之一瑕疵装置之资讯;并根据上述备妥之资讯,省略一项原应对该等装置中之一个执行之检验程序。9.如申请专利范围第8项之装置检验方法,其中有一项步骤系对省略接受该项检验之该瑕疵装置提供一标记。10.如申请专利范围第8项之装置检验方法,其中有一项步骤系将上述准备步骤中所准备之资讯储存在一记忆体中。图式简单说明:附图1系一方块图,显示根据本发明第一种具体实例而设计之半导体积体电路制造系统之结构略图。附图2系一方块图,显示在附图1中所示之一种探针检验设备之结构。附图3系一流程图,显示在附图2中所示该探针检验设备之一种操作过程。附图4系一说明图,说明在附图2所示由该探针检验设备所执行之资料转换操作程序。附图5系一方块图,显示根据本发明第二种具体实例而设计之半导体积体电路的结构略图。
地址 日本