制造晶片上解耦电容之方法与装置

摘要

一种制造解耦电容器之方法包括：沉积一第一障壁金属于一导电金属。第一障壁金属系作用为解耦电容器之一第一电极。一介电质系沉积于第一障壁金属。一第二障壁金属系沉积于介电质。第二障壁金属系作用为解耦电容器之一第二电极。一光阻系曝光至紫外线。光阻系施加于第二障壁金属。一光罩系利用以界定解耦电容器之一大概的形状。第二障壁金属之一部分系蚀刻。光阻之一量系移除。