半导体元件以及其制造方法

摘要

在一闸极电极内，于一第一多晶矽膜之上，设置一具有关于其定位的预定矽晶面取向且晶径小于第一多晶矽膜之第二多晶矽膜，即便在第二多晶矽膜内，有局部存在之于形成一矽化物层时矽化反应速度不同的部分，该第二多晶矽膜的未反应部分之矽化反应可发生得较第一多晶矽膜之矽化反应快速。