| 摘要 |
本发明系有关于一种半导体装置，此者具有由各记忆体胞体横列与纵行之矩阵所组成的位元组–可擦拭式EEPROM记忆体。为提供一种具有位元组–可擦拭式EEPROM，而经过减少晶片之大小及增加其密度，且适合于低功率应用之半导体装置，现提议根据本发明该等记忆体胞体各者含有一选择电晶体，此者具有选择闸极及按与其串接方式，具一浮动闸极及一控制闸极之记忆体电晶体，该选择闸极会进一步被连接到位元组–可擦拭式EEPROM记忆体的来源线路，此来源线路系由复数个记忆体胞体所共用，而该记忆体电晶体会进一步被连接到该位元组–可擦拭式EEPROM记忆体的位元线路，其中记忆体胞体纵行会位在由各n-型井所区隔之个别p-型井内。最好，在此供置有高电压切换元件以将整个的控制闸极划分成按各纵行位元组的局部控制闸极。 |
