| 主权项 |
1.一种自对准双位元非挥发性记忆胞,包括: 一通道; 两位元线,分别位于该通道之两侧成列状排列; 两隔离线,在对应于该些位元线的上方; 一控制闸极,在该隔离线和该通道上方成行状配置 ; 一保护层位于该控制闸极下方; 两分离的电荷储存区由氮化物所组成,分别位于该 通道之两侧,其中两分离的电荷储存区间系为该控 制闸极和该保护层; 一底层氧化层,位于该些位元线和该通道上方,且 在该些电荷储存区、该些隔离线和该保护层下方; 以及 一顶层氧化层,位于该些电荷储存区上方,且在该 些隔离线和该保护层下方,其中该些电荷储存区系 位于该顶层氧化层和该底层氧化层之间。2.如申 请专利第1项所述之自对准双位元非挥发性记忆胞 ,其中该保护层为一氧化层。3.如申请专利第1项所 述之自对准双位元非挥发性记忆胞,其中位于该通 道两侧之两分离的电荷储存区系位于该些位元线 上方。4.一种自对准双位元非挥发性记忆胞的制 造方法,包括: 形成一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层于一基底上, 其中该ONO层系由一底层氧化层、一氮化层和一顶 层氧化层所组成; 在该ONO层上形成一列状之罩幕层; 以该罩幕层做为一植入阻挡层,以于该基底中形成 复数位元线; 于该罩幕层间形成一列状之隔离层; 移除该罩幕层; 覆盖一高分子层在该隔离层上方,其中该高分子层 在该隔离层之顶部和侧壁的厚度远大于在该顶层 氧化层上的厚度; 蚀刻该顶层氧化层和该氮化层,以将该隔离层间的 该氮化层定义成两分离的电荷储存区; 移除该高分子层;以及 在该隔离层和该ONO层上方形成一行状之控制闸极, 且垂直于该些位元线。5.如申请专利第4项所述之 自对准双位元非挥发性记忆胞的制造方法,其中该 罩幕层为氮化矽。6.如申请专利第4项所述之自对 准双位元非挥发性记忆胞的制造方法,其中于该罩 幕层间形成该列状之隔离层的方法,包括: 在该罩幕层和该ONO层上沈积一氧化层;以及 以化学机械研磨移除该罩幕层上方之该氧化层。7 .如申请专利第4项所述之自对准双位元非挥发性 记忆胞的制造方法,其中该高分子层在该隔离层侧 壁的厚度大致为该隔离层间的距离之1/3。8.如申 请专利第4项所述之自对准双位元非挥发性记忆胞 的制造方法,更包括在该控制闸极和该顶层和底层 氧化层之间形成一保护层。9.如申请专利第8项所 述之自对准双位元非挥发性记忆胞的制造方法,其 中该保护层为一氧化层。图式简单说明: 第1A图系为剖面图,其绘示传统之氮化物唯读记忆 体的制程中ONO结构的制造过程。 第1B图系绘示于第1A图的制程后,继续进行之位元 线的制造过程。 第1C图系绘示于第1B图的制程后,继续进行之另一 口袋型植入制程。 第1D图系绘示于第1C图的制程后,继续进行之一口 袋型植入制程。 第1E图系为剖面图,其绘示于第1D图的制程后,形成 厚氧化层保护位元线的制程。 第2图系绘示传统之非挥发性记忆体结构的两电荷 储存区之示意图。 第3A图系绘示本发明于基底上形成ONO叠层的步骤 。 第3B图系绘示于第3A图的步骤后,于基底中形成位 元线及定义出通道区的步骤。 第3C图系绘示于第3B图的步骤后,于ONO叠层上形成 隔离层的步骤。 第3D图系绘示于第3C图的步骤后,形成高分子层用 以做为蚀刻阻挡层的步骤。 第3E图系绘示于第3D图的步骤后,进行非等向性蚀 刻以定义出电荷储存区的步骤。 第3F图系绘示于第3E图的步骤后,形成保护层和控 制闸极的步骤。 第4图系绘示本发明之非挥发性记忆胞及其用以控 制该记忆胞的控制闸极和位元线的示意图。 |
