| 主权项 |
1.一种画素结构,包括: 一扫描配线,配置在一基板上; 一闸介电层,配置在该基板上,覆盖该扫描配线; 一通道层,配置在该扫描配线上方之该闸介电层上 ; 一非封闭环状源极,配置在该通道层上; 一汲极,配置在该通道层上,并位在该非封闭环状 源极的内部,其中该通道层、该非封闭环状源极、 该汲极以及位于该通道层下方之该扫描配线系构 成一薄膜电晶体; 一资料配线,配置在该闸介电层上,且该资料配线 系与该非封闭环状源极电性连接; 一保护层,配置在该基板上方,覆盖住该薄膜电晶 体、该扫描配线以及该资料配线; 一接触窗,配置在该保护层中,且与该汲极电性接 触;以及 一画素电极,配置在该保护层上,且该画素电极系 藉由该接触窗而与该汲极电性连接。2.如申请专 利范围第1项所述之画素结构,其中该非封闭环状 源极系位于扫描配线之上方,且未超出该扫描配线 。3.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中该 非封闭环状源极系系于该扫描配线之上方,且超出 该扫描配线。4.如申请专利范围第1项所述之画素 结构,其中该接触窗系位于该汲极之上方,且未超 出该汲极。5.如申请专利范围第1项所述之画素结 构,其中该汲极系位于该扫描配线之上方,且未超 出该扫描配线。6.如申请专利范围第1项所述之画 素结构,其中该通道层系位于该扫描配线之上方, 且未超出该扫描配线。7.如申请专利范围第1项所 述之画素结构,其中该环状源极与该汲极系彼此对 称。8.如申请专利范围第1项所述之画素结构,其中 该环状源极与该汲极系彼此不对称。9.一种画素 结构的制造方法,包括: 在一基板上形成一扫描配线; 在该基板上形成一闸介电层,覆盖该扫描配线; 在该扫描配线上方之该闸介电层上形成一通道层; 在该通道层上形成一非封闭环状源极且在该非封 闭环状源极的内部形成一汲极,并且在该闸介电层 上形成一资料配线,其中该资料配线系与该非封闭 环状源极电性连接,且该通道层、该非封闭环状源 极、该汲褪以及位于该通道层下方之该扫描配线 系构成一薄膜电晶体; 在该基板上方形成一保护层,覆盖住该薄膜电晶体 、该扫描配线以及该资料配线; 在该保护层中形成一接触窗开口,暴露出该汲极; 以及 在该保护层上形成一画素电极,其中该画素电极系 藉由该接触窗开口而与该汲极电性连接。10.如申 请专利范围第9项所述之画素结构的制造方法,其 中该非封闭环状源极系形成于该扫描配线之上方, 且未超出该扫描配线。11.如申请专利范围第9项所 述之画素结构的制造方法,其中该非封闭环状源极 系形成于该扫描配线之上方,且超出该扫描配线。 12.如申请专利范围第9项所述之画素结构的制造方 法,其中该接触窗开口系形成在该汲极之上方,且 未超出该汲极。13.如申请专利范围第9项所述之画 素结构的制造方法,其中该汲极系形成于该扫描配 线之上方,而未超出该扫描配线。14.如申请专利范 围第9项所述之画素结构的制造方法,其中该通道 层系形成于该扫描配线之上方,且未超出该扫描配 线。15.如申请专利范围第9项所述之画素结构的制 造方法,其中所形成之该环状源极与该汲极系彼此 对称。16.如申请专利范围第9项所述之画素结构的 制造方法,其中所形成之该环状源极与该汲极系彼 此不对称。图式简单说明: 第1A图是习知一画素结构之上视示意图; 第1B图是习知画素结构中第一金属层与第二金属 层对准不佳时之上视示意图; 第2图是依照本发明一较佳实施例之画素结构之上 视示意图; 第3图是第2图中由I-I'之剖面示意图;以及 第4图是依照本发明另一较佳实施例之画素结构之 上视示意图。 |
