| 主权项 |
1.一种合成具有下通式化合物之方法, 其包含步骤:在烯烃存在下将具下式之化合物 与具有式R1C(X)(X1)H之化合物接触 其中 n为1或2; M为钌或锇; R'为选自下列组成之组群:氢、一被取代之取代基 、一未取代之取代基,其中该取代基为选自下列组 成之组群:C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、芳基 、C1-C20羧基、C1-C20烷氧基、C2-C20烯氧基、C2-C20炔 氧基、芳氧基、C2-C20烷氧基羰基、C1-C20烷硫基、C 1-C20烷基磺基及C1-C20烷基亚磺醯基; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚磷氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。2.如申请专利范围第1项之方法,其中M为钌 。3.如申请专利范围第1项之方法,其中R'为选自下 列组群:氢、未取代C1-C20烷基、取代C1-C20烷基、未 取代C2-C20烯基、取代C2-C20烯基、未取代芳基、及 取代芳基。4.如申请专利范围第1项之方法,其中R' 为选自下列组群:未取代C1-C5烷基、取代C1-C5烷基 、未取代C1-C5烷氧基、取代C1-C5烷氧基、未取代芳 基、及取代芳基。5.如申请专利范围第1项之方法, 其中R'为选自下列组群:包括一官能基,其选自下列 组成之组群:羟基、硫醇、酮、醛、酯、醚、胺、 亚胺、醯胺、硝基、羧酸、二硫化物、碳酸酯、 异氰酸酯、碳化二亚胺、碳化烷氧基、胺基甲酸 酯及卤素。6.如申请专利范围第3项之方法,其中R' 为苯基。7.如申请专利范围第1项之方法,其中取代 基之取代作用为选自下列组成之组群:卤素、C1-C5 烷基、C1-C5烷氧基及一苯基。8.如申请专利范围第 1项之方法,其中X及X1各自选自下列组成之组群:氯 、CF3CO2.CH3CO2.CFH2CO2.(CH3)3CO、(CF3)2(CH3)CO、(CF3)(CH3)2 CO、PhO、MeO、EtO、甲苯磺酸盐、甲磺酸盐或三氟 甲烷基磺酸盐。9.如申请专利范围第8项之方法,其 中X及X1皆为氯。10.如申请专利范围第1项之方法, 其中L及L1各自为式PR3R4R5之膦,其中 R3为二级烷基或环烷基,且 R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10一 级烷基、二级烷基、或环烷基。11.如申请专利范 围第10项之方法,其中L及L1各自为选自下列组成之 组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3.或-P(异丙基)3。12.如 申请专利范围第1项之方法,其中烯烃为环己烷。13 .一种合成具有下通式化合物之方法, 其包含步骤:在烯烃存在下将具下式之化合物 与具有式R1C(X)(X1)H之化合物接触 其中 n为1或2; M为钌; R'为选自下列组群:氢、未取代C1-C20烷基、取代C1-C 20烷基、未取代C2-C20烯基、取代C2-C20烯基、未取 代芳基、及取代芳基; X及X1各自选自下列组成之组群:氯、CF3CO2.CH3CO2.CFH2 CO2.(CH3)3CO、(CF3)2(CH3)CO、(CF3)(CH3)2CO、PhO、MeO、EtO 、甲苯磺酸盐、甲磺酸盐或三氟甲烷基磺酸盐; L及L1各自为选自下列组成之组群:-P(环己基)3.-P(环 戊基)3.或-P(异丙基)3。14.如申请专利范围第13项之 方法,其中R1C(X)(X1)H为二卤化合物且烯烃为环己烷 。15.如申请专利范围第13项之方法,其中 X及X1皆为氯;且 L及L1皆为-P(环己基)3。16.如申请专利范围第15项之 方法,其中R1为苯或未取代苯,其中取代基为选自下 列组成之组群:氯化物、溴化物、碘化物、氟化物 、-NO2.-NMe2.甲氧基及甲基。17.一种合成下式化合 物的方法 其中包含步骤:将下式化合物 与下式之化合物接触 其中 n为1或2; M为锇或钌; R12及R13各自为氢、一被取代之取代基、一未取代 之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群:C1 -C18烷基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、芳基、C1-C18羧基 、C1-C18烷氧基、C2-C18烯氧基、C2-C18炔氧基、芳氧 基、C2-C18烷氧基羰基、C1-C18烷硫基、C1-C18烷基磺 基及C1-C18烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚磷氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。18.如申请专利范围第17项之方法,其中M为钌 。19.如申请专利范围第17项之方法,其中R12及R13各 自为氢、未取代C1-C18烷基、取代C1-C18烷基、未取 代C2-C18烯基、取代C2-C18烯基、未取代芳基、取代 芳基。20.如申请专利范围第17项之方法,其中R12及R 13取代基之取代作用为选自下列组成之组群:未取 代C1-C5烷基、取代C1-C5烷基、未取代C1-C5烷氧基、 取代C1-C5烷氧基、未取代芳基、取代芳基。21.如 申请专利范围第17项之方法,其中R12及R13包括选自 下列之官能基:羟基、硫醇、酮、醛、酯、醚、胺 、亚胺、醯胺、硝基、羧酸、二硫化物、碳酸酯 、异氰酸酯、碳化二亚胺、碳化烷氧基、胺基甲 酸酯及卤素。22.如申请专利范围第19项之方法,其 中R12及R13皆为苯基。23.如申请专利范围第19项之 方法,其中R12及R13皆为甲基。24.如申请专利范围第 17项之方法,其中取代基之取代作用为选自下列组 成之组群:卤素、C1-C5烷基、C1-C5烷氧基及苯基。25 .如申请专利范围第17项之方法,其中X及X1各自选自 下列组成之组群:氯、CF3CO2.CH3CO2.CFH2CO2.(CH3)3CO、(CF 3)2(CH3)CO、(CF3)(CH3)2CO、PhO、MeO、EtO、甲苯磺酸盐 、甲磺酸盐或三氟甲烷基磺酸盐。26.如申请专利 范围第25项之方法,其中X及X1皆为氯。27.如申请专 利范围第17项之方法,其中L及L1各自为式PR3R4R5之膦 ,其中 R3为二级烷基或环烷基,且 R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10一 级烷基、二级烷基、或环烷基。28.如申请专利范 围第27项之方法,其中L及L1各自为选自下列组成之 组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3.或-P(异丙基)3。29.一 种合成下式化合物的方法 其中包含步骤:将下式化合物 与下式之化合物接触 其中 n为1或2; M为钌; R12及R13各自为选自下列组成之组群氢、未取代C1-C 18烷基、取代C1-C18烷基、未取代C2-C18烯基、取代C2 -C18烯基、未取代芳基、取代芳基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自为选自下列组成之组群:氯、CF3CO2.CH3CO2. CFH2CO2.(CH3)3CO、(CF3)2(CH3)CO、(CF3)(CH3)2CO、PhO、MeO、 EtO、甲苯磺酸盐、甲磺酸盐或三氟甲烷基磺酸盐; L及L1各自为选自下列组成之组群:-P(环己基)3.-P(环 戊基)3.或-P(异丙基)3。30.如申请专利范围第29项之 方法,其中X及X1皆为氯;L及L1皆为-P(环己基)3。31.如 申请专利范围第29项之方法,其中下式之化合物 为3-氯-1-丙炔卤化物。32.如申请专利范围第29项之 方法,其中下式之化合物 为三级3-氯-1-丙炔卤化物。33.如申请专利范围第32 项之方法,其中该三级3-氯-1-丙炔卤化物为三级3- 氯-1-丙炔氯化物。34.如申请专利范围第29项之方 法,其中该接触步骤在溶剂中发生。35.如申请专利 范围第34项之方法,其中该溶剂为选自下列组成之 组群:二氯甲烷、苯及甲苯。36.一种合成下式化合 物的方法 其中包含步骤:将下式化合物 或 与下式之化合物接触 其中 M为锇或钌; R12及R13各自为氢、一被取代之取代基、一未取代 之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群:C1 -C18烷基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、芳基、C1-C18羧基 、C1-C18烷氧基、C2-C18烯氧基、C2-C18炔氧基、芳氧 基、C2-C18烷氧基羰基、C1-C18烷硫基、C1-C18烷基磺 基及C1-C18烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L、L1及L2各自为选自任何三芳基膦。37.如申请专 利范围第36项之方法,其中 M为钌; R12及R13各自为选自下列组成之组群:氢、未取代C1- C18烷基、取代C1-C18烷基、未取代C2-C18烯基、取代C 2-C18烯基、未取代芳基、及取代芳基; R17为氢; X及X1皆为氯; L、L1及L2各自为选自任何三苯基膦。38.一种合成 下式化合物的方法 其中包含将下式化合物 与式RC≡CCR12R13R'之化合物接触,然后加入式HX之化 合物, 其中 n为1或2; M为锇或钌; R'为羟基; R12及R13各自为氢、一被取代之取代基、一未取代 之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群:C1 -C18烷基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、芳基、C1-C18羧基 、C1-C18烷氧基、C2-C18烯氧基、C2-C18炔氧基、芳氧 基、C2-C18烷氧基羰基、C1-C18烷硫基、C1-C18烷基磺 基及C1-C18烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚膦氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。39.一种合成式(X)(X1)(L)(L1)M=C(R17)(CH2CR12R13R') 化合物的方法,其中包含将下式化合物 与式RC≡CCR12R13R'之化合物接触,然后加入式HX之化 合物, 其中 n为1或2; M为锇或钌; R'为氢基或C1-C20烷基; R12及R13各自为氢、一被取代之取代基、一未取代 之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群:C1 -C18烷基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、芳基、C1-C18羧基 、C1-C18烷氧基、C2-C18烯氧基、C2-C18炔氧基、芳氧 基、C2-C18烷氧基羰基、C1-C18烷硫基、C1-C18烷基磺 基及C1-C18烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚磷氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。40.一种合成下式化合物的方法 其中包含步骤:将下式化合物 与下式之化合物接触 其中 n为1或2; M为锇或钌; R14.R15及R16各自为氢、一被取代之取代基、一未取 代之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群 :C1-C19烷基、C2-C19烯基、C2-C19炔基、芳基、C1-C19羧 基、C1-C19烷氧基、C2-C19烯氧基、C2-C19炔氧基、芳 氧基、C2-C19烷氧基羰基、C1-C19烷硫基、C1-C19烷基 磺基及C1-C19烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚磷氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。41.如申请专利范围第40项之方法,其中M为钌 。42.如申请专利范围第40项之方法,其中R14.R15及R16 各自为氢、未取代C1-C19烷基、取代C1-C19烷基、未 取代C2-C19烯基、取代C2-C19烯基、未取代芳基、取 代芳基。43.如申请专利范围第40项之方法,其中R14 或R15取代基之取代作用为选自下列组成之组群:未 取代C1-C5烷基、取代C1-C5烷基、未取代C1-C5烷氧基 、取代C1-C5烷氧基、未取代芳基、取代芳基。44. 如申请专利范围第40项之方法,其中R14或R15包括选 自下列之官能基:羟基、硫醇、酮、醛、酯、醚、 胺、亚胺、醯胺、硝基、羧酸、二硫化物、碳酸 酯、异氰酸酯、碳化二亚胺、碳化烷氧基、胺基 甲酸酯及卤素。45.如申请专利范围第40项之方法, 其中取代基之取代作用为选自下列组成之组群:卤 素、C1-C5烷基、C1-C5烷氧基及苯基。46.如申请专利 范围第40项之方法,其中X及X1各自选自下列组成之 组群:氯、CF3CO2.CH3CO2.CFH2CO2.(CH3)3CO、(CF3)2(CH3)CO、( CF3)(CH3)2CO、PhO、MeO、EtO、甲苯磺酸盐、甲磺酸盐 或三氟甲烷基磺酸盐。47.如申请专利范围第46项 之方法,其中X及X1皆为氯。48.如申请专利范围第40 项之方法,其中L及L1各自为式PR3R4R5之膦,其中 R3为二级烷基或环烷基,且 R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10一 级烷基、二级烷基、或环烷基。49.如申请专利范 围第48项之方法,其中L及L1各自为选自下列组成之 组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3.或-P(异丙基)3。50.一 种合成下式化合物的方法 其中包含步骤:将下式化合物 或 与下式之化合物接触 其中 M为锇或钌; R14.R15及R16各自为氢、一被取代之取代基、一未取 代之取代基,其中该取代基为选自下列组成之组群 :C1-C19烷基、C2-C19烯基、C2-C19炔基、芳基、C1-C19羧 基、C1-C19烷氧基、C2-C19烯氧基、C2-C19炔氧基、芳 氧基、C2-C19烷氧基羰基、C1-C19烷硫基、C1-C19烷基 磺基及C1-C19烷基亚磺醯基; R17为为选自下列组成之组群:氢、芳基或C1-C18烷基 ; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L、L1及L2各自为选自任何三芳基膦。51.如申请专 利范围第50项之方法,其中 M为钌; R14.R15及R16各自为选自下列组成之组群:氢、未取 代C1-C19烷基、取代C1-C19烷基、未取代C2-C19烯基、 取代C2-C19烯基、未取代芳基、及取代芳基; X及X1皆为氯; L、L1及L2各自为选自任何三苯基膦。52.一种合成 具有通式Ru(X)2(L)2(=CHR1)化合物之方法,其包含 在溶剂存在下将R1CHX2与Ru(COD)(COT)反应,其中 R'为氢、未取代C1-C20烷基、取代C1-C20烷基、未取 代C2-C20烯基、取代C2-C20烯基、未取代芳基、及取 代芳基; X为卤素;及 L为式PR3R4R5之膦,其中R3为二级烷基或环烷基,且R4 及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10一级 烷基、二级烷基、或环烷基。53.如申请专利范围 第52项之方法,其中R'为选自下列组群:包括一官能 基,其选自下列组成之组群:羟基、硫醇、酮、醛 、酯、醚、胺、亚胺、醯胺、硝基、羧酸、二硫 化物、碳酸酯、异氰酸酯、碳化二亚胺、碳化烷 氧基、胺基甲酸酯及卤素。54.如申请专利范围第 52项之方法,其中 X为卤素; L为选自下列组成之组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3. 或-P(异丙基)3; 该溶剂为甲苯。55.如申请专利范围第52项之方法, 其中R'为苯基。56.一种制造下列通式所示化合物 之方法, 系包含:在NaOH及约1.5atm之H2存在下,使[MXX1(COD)]m与L 及L1反应,其中 m为整数; n为1或2; M为锇或钌; X及X1各自选自下列组成之组群:氢、卤素、一被取 代之取代基、一未取代之取代基,其中该取代基为 选自下列组成之组群:C1-C20烷基、芳基、C1-C20烷氧 基、芳氧基、C3-C20烷二酮基、芳二酮基、C1-C20羧 基、芳基或C1-C20烷基磺基、C1-C20烷硫基及C1-C20烷 基亚磺醯基;又, L及L1各自选自下列组成之组群:膦、磺酸化膦、磷 酸盐、磷氮基、亚磷氮基、砷、锑化氢、醚、胺 、醯胺、亚胺、亚、羧基、亚硝醯基、啶及 硫醚。57.如申请专利范围第56项之方法,该反应系 在溶剂中进行。58.如申请专利范围第56项之方法, 其中该溶剂为第二丁醇,X为卤素;L及L1为选自下列 组成之组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3或-P(异丙基)3 。59.如申请专利范围第56项之方法,其中M为钌。60. 如申请专利范围第56项之方法,其中X及X1为相同且 均为卤化物。61.如申请专利范围第56项之方法,其 中L及L1为相同且均为三芳基膦。62.如申请专利范 围第61项之方法,其中L及L1均为三P(苯基)。63.如申 请专利范围第56项之方法,其中L及L1为选自下列组 成之组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3.或-P(异丙基)3。 64.如申请专利范围第56项之方法,其中L及L1为相同 且均为式PR3R4R5之膦,其中R3为二级烷基或环烷基, 且R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10 一级烷基、二级烷基、或环烷基。65.一种制造具 通式Ru(H)(X)(H2)n(L)2之化合物之方法,其中,n为1或2,X 为氢,且L为具通式PR3R4R5之膦,其中 R3为二级烷基或环烷基,且 R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳基、C1-C10一 级烷基、二级烷基以及环烷基,该方法包含: 藉由使RuX3与环辛二烯相接触而形成一聚合错合物 ,并在H2存在下将该聚合错合物与L起反应者。66.如 申请专利范围第65项之方法,其中L及L1为相同且均 为三芳基膦。67.如申请专利范围第65项之方法,该 反应系在溶剂中进行。68.如申请专利范围第67项 之方法,其中M为钌,该溶剂为第二丁醇,X为卤素。69 .如申请专利范围第68项之方法,其中该第二丁醇包 含三乙胺。70.如申请专利范围第65项之方法,其中L 及L1为相同且均为式PR3R4R5之膦,其中R3为二级烷基 或环烷基,且R4及R5各自为选自下列组成之组群:芳 基、C1-C10一级烷基、二级烷基、或环烷基。71.如 申请专利范围第70项之方法,其中L及L1为选自下列 组成之组群:-P(环己基)3.-P(环戊基)3.或-P(异丙基)3 。 |
