| 主权项 |
1.一种半导体积体电路之制造装置,其特征为,以电 解电镀法使电流流到装设在电镀液上方之半导体 基板的被电镀面,且在该半导体基板形成突起电极 ,且其具备: 阳极,装设在储存上述电镀液之槽部; 阴极,连接在上述半导体基板之被电镀面;和 基板振动机构,在形成上述突起电极时,使半导体 基板朝上下方向振动。2.一种半导体积体电路之 制造装置,其特征为,以电解电镀法使电流流到装 设在电镀液上方之半导体基板的被电镀面,且在该 半导体基板形成突起电极,且其具备: 阳极,装设在储存上述电镀液之槽部; 阴极,连接在上述半导体基板之被电镀面; 感应线圈,以电磁力使上述半导体基板振动;和 高频电源,将高频电流供给到上述感应线圈。3.如 申请专利范围第1项之半导体积体电路之制造装置 ,其中上述基板振动机构具备: 感应线圈,以电磁力使上述半导体基板振动;和 高频电源,将高频电流供给到上述感应线圈。4.如 申请专利范围第1项或第2项之半导体积体电路之 制造装置,其中上述振动之频率为声音区域之频率 。5.如申请专利范围第2项或第3项之半导体积体电 路之制造装置,其中上述感应线圈装设在上述槽部 外侧。6.如申请专利范围第2项或第3项之半导体积 体电路之制造装置,其中上述感应线圈装设成从上 述半导体基板面隔开所定间隔,上述半导体基板面 在上述槽部侧之反侧。7.如申请专利范围第2项或 第3项之半导体积体电路之制造装置,其中上述感 应线圈比上述半导体基板之尺寸小,且装设有复数 个。8.如申请专利范围第2项或第3项之半导体积体 电路之制造装置,其中上述高频电源可改变供给的 交流电流之振幅及频率。9.一种半导体积体电路 之制造方法,其特征为包含: 将电镀液供给到半导体基板的被电镀面之步骤;和 一面使上述半导体基板朝上下方向振动,一面以电 解电镀法在上述被电镀面形成突起电极之步骤。 10.一种半导体积体电路之制造方法,其特征为包含 : 将电镀液供给到半导体基板的被电镀面之步骤;和 一面以电磁力使上述半导体基板振动,一面以电解 电镀法在上述被电镀面形成突起电极之步骤。11. 如申请专利范围第9项之半导体积体电路之制造方 法,其中形成上述突起电极时,以电磁力使上述半 导体基板朝上下方向振动。12.如申请专利范围第9 项或第10项之半导体积体电路之制造方法,其中上 述振动之频率为声音区域之频率。13.如申请专利 范围第10项或第11项之半导体积体电路之制造方法 ,其中使上述半导体基板振动之电磁力,系藉由将 高频电流供给到感应线圈之方式生成。图式简单 说明: 图1系本发明之一种实施型态所相关的半导体积体 电路之制造装置说明图。 图2系图1之半导体积体电路之制造装置所制造的 半导体积体电路说明图。 图3(a)系从侧面看图1中的半导体积体电路之晶圆 和感应线圈,该晶圆振动之一例的说明图。 图3(b)系从上方看图3(a)的晶圆、感应线圈,该晶圆 振动之说明图。 图4(a)系图3(a)另一例之说明图。 图4(b)系从上方看图4(a)的晶圆、感应线圈,该晶圆 振动之说明图。 图5系藉由本发明之半导体积体电路之制造装置, 和后述图6至图8习知之半导体积体电路之制造装 置(习知装置)所形成的各突起电极之高度不均之 图表。 图6系习知之半导体积体电路之制造装置说明图。 图7系与图6之制造装置相异的另一习知之半导体 积体电路之制造装置说明图。 图8系与图6.图7之制造装置相异之另一习知之半导 体积体电路之制造装置说明图。 |
