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1.一种形成阴极发射器孔穴及相应的阴极闸极的 方法,以在平面显示器具有一定厚度的耐蚀层之基 底结构上形成阴极发射器孔穴及相应的阴极闸极, 包括: 沈积铬; 沈积覆盖层于该基底结构上; 埋置复数个离子轨道于该覆盖层; 蚀刻该闸极;以及 对应于该等离子轨道蚀刻该阴极发射器孔穴,其中 该方法不必沈积第二层耐蚀层也不需要相应的沈 积步骤。2.一种形成阴极发射器孔穴及相应的阴 极闸极的方法,以在平面显示器具有一定厚度的耐 蚀层之基底结构上形成阴极发射器孔穴及相应的 阴极闸极,包括: 沈积铬; 沈积覆盖层于该活性区上; 埋置复数个凹陷于该覆盖层; 蚀刻该闸极;以及 对应于该等凹陷蚀刻该阴极发射器孔穴,其中该方 法不必沈积第二层耐蚀层也不需要相应的沈积步 骤。3.一种形成阴极发射器孔穴及相应的阴极闸 极的方法,以在平面显示器具有一定厚度的耐蚀层 之基底结构上形成阴极发射器孔穴及相应的阴极 闸极,包括: 沈积铬; 沈积覆盖层于该活性区上; 埋置复数个凹陷于该覆盖层; 蚀刻该闸极;以及 对应于该等凹陷蚀刻该阴极发射器孔穴,其中该方 法不必沈积第二层耐蚀层也不需要相应的沈积步 骤。4.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中该覆 盖层包括一聚碳酸酯材料。5.如申请专利范围第1. 2或3项之方法,其中该埋置复数个离子轨道或凹陷 于该覆盖层的步骤,包括随机植入粒子,该等粒子 具有高动能。6.如申请专利范围第1.2或3项之方法, 其中相应于该等凹陷,蚀刻该闸极以及该阴极发射 器孔穴的步骤,系以一气相蚀刻来进行。7.如申请 专利范围第6项之方法,其中该气相蚀刻包括复数 种气体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该等 气体包括八氟环丁烷、一氧化碳、氩以及氮等气 体的混合。9.如申请专利范围第1.2或3项之方法,更 进一步的包括调整该第一耐蚀层厚度的步骤。图 式简单说明: 第1图系显示习知技术阴极射线管平面显示器的内 部构造、表现了阴极电子的发射,以及加速接近萤 幕; 第2图系显示习知技术阴极射线管平面显示器的内 部构造,表现了利用陶瓷隔件抵抗大气压力; 第3图系显示阴极射线管平面显示器的结构,利用 两个分解的放大图放大两次,详细表现了阴极的构 造; 第4图系以详细的阴极内部图,显示薄型阴极射线 管显示器的行与列定位; 第5图系显示薄型阴极射线管显示器阴极的活动区 相对位置的俯视图,以及连接垫区域M1和M2; 第6图系显示传统制造阴极射线管平面显示器阴极 的制程步骤流程图; 第7A图系显示第一层金属活性层沉积在活性区域 的玻璃基板上的纵向剖面图,参照本发明的实施例 ; 第7B图系显示第一M1金属垫在上光阻步骤后沉积在 M1金属垫区的玻璃基板上的纵向端面剖面图,参照 本发明的实施例; 第7C图系显示内层介电光阻层沉积在M2垫区的玻璃 基板上的纵向端面剖面图,参照本发明的实施例; 第7D图系显示在阴极制造中,形成第一基础复合结 构的步骤流程图,参照本发明的实施例; 第8A图系显示金属闸极以及第二金属导体沉积在 内层介电层上,盖住活性区域以及M2垫区域上的第 一金属层的纵向剖面图,参照本发明的实施例; 第8B图系显示铬沉积在M2垫区域的纵向端面剖面图 ,参照本发明的实施例; 第8C图系显示在阴极制程中形成第二层复合结构 的步骤流程图,参照本发明的实施例; 第9A图系显示耐蚀层沉积于活性区,在金属闸极之 上(第8A图),并在蚀刻后覆上一铬闸极层的纵向剖 面图,参照本发明的实施例; 第9B图系显示耐蚀层沉积在蚀刻后,覆盖在M1垫区 域的第一金属层(第7B图)的纵向端面剖面图,参照 本发明的实施例; 第9C图系显示耐蚀层沉积在蚀刻后,覆盖在金属闸 极(第8B图)以及M2垫区域的第二金属层上之的纵向 端面剖面图,参照本发明的实施例; 第9D图系显示在阴极制程中形成第三层复合结构 的步骤流程图,参照本发明的实施例; 第10A图系显示棒状的铬层于活性区沉积覆盖金属 闸极(第8A图)的纵向剖面图,参照本发明的实施例; 第10B图系显示棒状的铬层于活性区沉积覆盖在M1 垫区的第一金属层(第9B图)的纵向端面剖面图,参 照本发明的实施例; 第10C图系显示耐蚀层沉积覆盖于M2垫区的金属闸 极(第9C图)的纵向端面剖面图,参照本发明的实施 例; 第10D图系显示在阴极制程中形成第四层复合结构 的步骤流程图,参照本发明的实施例; 第11A图系显示阴极锥金属以及闸极方块沉积在活 性区的纵向剖面图,参照本发明的实施例; 第11B图系显示第一金属层在M1垫区中,在蚀刻铬之 后,被覆以过量耐蚀材料(第9B图)的纵向端面剖面 图,参照本发明的实施例; 第11C图系显示阴极锥金属置于M2垫区的金属闸极( 第10C图)之上的纵向端面剖面图,参照本发明的实 施例; 第11D图系显示在阴极制程中形成第五层复合结构 的步骤流程图,参照本发明的实施例; 第12A图系显示阴极活性区的聚亚醯胺壁覆有聚焦 格金属沉积的纵向剖面图,参照本发明的实施例; 第12B图系显示阴极锥金属在移除多余材料后,于M2 垫区覆盖金属闸极(第11C图)的纵向端面剖面图,参 照本发明的实施例; 第12C图系显示在阴极制程中形成第六层复合结构 的步骤流程图,参照本发明的实施例。 |
